天眼查显示，无锡华润上华科技有限公司“半导体器件结构及其加工方法”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117832073A。

本发明涉及一种半导体器件结构及其加工方法，所述方法包括：获取基底；图案化所述基底，在所述基底的第一区域形成从所述基底的第一表面向基底内延伸的至少一沟槽，所述第一区域除各所述沟槽之外的位置残留有基底结构；各所述沟槽的深宽比均大于1/2，所述第一区域残留的所述基底结构的高宽比大于1/2；淀积目标材料填充各所述沟槽；通过光刻和刻蚀去除所述第一区域残留的所述基底结构；淀积所述目标材料填充所述去除的所述基底结构的位置。本发明能够通过两次淀积厚度较薄的淀积工艺，实现传统工艺所不具备的深度十几至上百微米的小深宽比的深槽填充，工艺较简单，成本较低。