天眼查显示，北京芯驰半导体科技股份有限公司“耗尽型VDMOS器件及其制作方法”专利公布，申请公布日为2024年5月28日，申请公布号为CN118101481A。

基于多核异构SOC的以太网带宽扩展方法、装置和芯片，该方法包括：响应于接收到第一以太网数据帧，MAC基于待接收第一以太网数据帧的目标应用域核心，将第一以太网数据帧传输至对应的目标MTL单元；与目标MTL单元对应的DMA单元，将第一以太网数据帧从目标MTL单元搬运至多核异构SOC的共享内存的目标内存区；其中，目标内存区，是共享内存中与目标应用域核心一一对应配置的内存区；目标应用域核心从目标内存区读取第一以太网数据帧。由此，实现了将以太网的带宽扩展至多核异构SOC的多个域的多个系统，不仅能够简易化多系统车机的网络通信，节省成本，而且通过硬件端功能，有效减少了CPU的额外负载。