新思科技(Synopsys)宣布,其设计流程工具和IP已经为三星晶圆代工厂的2nm制造工艺做好准备。三星近日同时宣布,将于2025年量产2nm制程半导体芯片,并表示该工艺将在2027年进一步完善。新思科技的EDA设计工具已通过三星2nm GAA工艺认证。
根据官方介绍,新思科技的EDA套件可改善三星晶圆代工2nm GAA工艺节点的模拟设计迁移、PPA(面积效率、性能和能效)和生产率。新思科技利用人工智能(AI)来协同优化,帮助三星提高2nm工艺的面积效率、性能和能效。
新思科技的DSO.ai、ASO.ai工具已成功从FinFET迁移到GAA架构,这意味着客户可以顺利将旧有的FinFET芯片设计迁移至新的2nm GAA工艺。
芯片公司可以利用新思科技的工具开发新的芯片设计技术,包括背面供电布线、局部布局效应感知方法和纳米片单元设计,从而提高SF2工艺的效率和性能。三星表示,SF2Z工艺节点可进一步提高性能、功耗和密度(提高20%)。
新思科技同时透露,该公司的UCIe IP已被用于三星SF2和SF4x工艺节点生产芯片。此外,相同的DTCO解决方案还将用于优化三星的1.4nm工艺节点(SF1.4)。
(校对/孙乐)