天眼查显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司“一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118471811A。

本发明提供了一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法，包括：在碳化硅衬底的一侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底的另一侧面淀积生长形成漂移层；在漂移层上方淀积阻挡层，刻蚀，离子注入形成低阻结构层、阱区和源区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，对通孔进行金属淀积，形成源极金属层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成栅介质层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀，金属淀积，形成栅极金属层，所述栅极金属层位于低阻结构层和源区之间的阱区上方；去除阻挡层，完成制造，降低了栅极控制反型区面积，进而降低了栅极电荷，降低了器件的驱动损耗。