近日，东芯股份在接受机构调研时表示，目前针对SLC NAND产品，三星已经退出该市场，我们判断未来海外IDM玩家例如美光、海力士、铠侠等也会逐步退出小容量NAND市场。利基型DRAM方面，2024年上半年三星以及海力士也针对利基型DDR3市场进行逐步退出策略，相信未来利基市场的竞争格局还是会以大陆和台湾厂商为主。
车规产品目前东芯股份的SLC NAND Flash及NOR Flash均有产品通过AEC-Q100测试，并已实现车规级产品销售。东芯股份表示，公司将继续在严苛的车规级应用环境标准下开发新的高可靠性产品，扩大车规级产品线丰富度。
在利基型DRAM方面，东芯股份的DRAM产品主要分成两大类，一类是标准DDR3，另外一类是低功耗LPDDR1、LPDDR2，以及LPDDR4X。东芯股份在DRAM产品方面会继续扩充产品品类，不断丰富DRAM自研产品组合，提高产品市场竞争力。
中大容量NOR方面，东芯股份基于48nm、55nm制程，持续进行64Mb-1Gb的中高容量NOR Flash产品研发工作，根据不同容量的目标客户群进行精确定位，保证性能、功耗和性价比的合理匹配。可以提供包括消费电子、网络通信、电力电表、PC、服务器等终端所需的产品。
