天眼查显示，盛合晶微半导体(江阴)有限公司“一种具有掩埋式电源轨的集成封装结构的制备方法”专利公布，申请公布日为2025年2月14日，申请公布号为CN119446916A。

本发明提供一种具有掩埋式电源轨的集成封装结构的制备方法，通过在第一半导体基底的正面进行氧离子注入，经过高温退火之后氧离子与硅反应形成第一氧化硅层，在进行研磨时第一氧化硅层替代锗硅层作为减薄停止层，而在第一半导体基底的正面生长外延硅并在外延硅上制备STI沟槽和掩埋式电源轨，并在第一半导体基底的背面形成纳米硅通孔与掩埋式电源轨电连接，由于在第一半导体基底的正面生长外延硅的技术要求相比于在第一半导体基底的正面外延锗硅层更简单，在实际生产过程中更加容易控制，再加上无需再使用湿法刻蚀溶液去除锗硅层，从而不会对晶圆产生损伤，大幅度提高了生产良率，进一步地，外延硅对设备的要求相对较低，从而降低了生产成本。