4月27日，银河微电发布2024年度业绩报告称，该年度公司实现营业收入909,049,584.47元，同比增加30.75%；实现归属于上市公司股东的净利润71,874,234.87元，同比增加12.21%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润48,049,884.64元，同比增加49.21%。

关于业绩变动的原因，银河微电说明称，主要系报告期内公司坚定聚焦主业，积极应对市场变化，适时优化内部产品结构，产销量稳步增长从而致使营收增长所致。

报告期末，公司财务状况良好，总资产2,205,810,186.87元，较报告期初增加10.83%。基本每股收益、稀释每股收益同比增加12.00%，扣除非经常性损益后的基本每股收益同比增加52%，主要系报告期内公司坚定聚焦主业，积极应对市场变化，适时优化内部产品结构，产销量稳步增长从而致使营收增长所致。

报告期内，公司研发投入合计56,049,945.56元，较上年同期增加33.08%，研发投入总额占营业收入比例为6.17%，较上年同期增加0.11个百分点。全年新增申请知识产权52个，新增授权39个。

公司在第三代半导体材料研发上步伐加快，其在SiC与GaN技术方面取得突破，已初步具备SiCMOSFET及GaNHEMT芯片设计能力，并且实现了小批量应用。在硅材料平台上，对于芯片制造工艺也持续优化，基于SGT和深沟槽技术，对电荷平衡与栅极结构进行优化，降低导通电阻和动态损耗，采用多层外延技术提升可靠性。并且在功率MOSFET领域，Clip封装技术创新，逐步替代传统Wire Bonding，提升散热效率和电流承载能力，满足车规级产品的高可靠性要求。

在新产业布局方面，公司“车规级半导体器件产业化”项目进入产能爬坡阶段，产品涵盖IGBT、SiC MOSFET等，获得多家车企供应链认证，聚焦新能源汽车的电机控制、车载充电系统及ADAS领域，满足AEC-Q101等国际车规标准，逐步替代英飞凌、安森美等海外厂商的中高端市场份额。同时，光电耦合器及LED产品已应用于工业自动化、医疗设备等领域，并与多家客户合作，开发高精度传感器及电源管理模块。

新业态与模式创新上，公司深化IDM模式，整合芯片设计、制造与封测环节，形成“设计制造-封测”一体化能力，提升产品性能与成本控制效率，自主设计的大功率IGBT芯片封测技术，实现低热阻封装，性能对标国际竞品。并且采用“以销定产+安全库存”模式，构建柔性生产体系，灵活应对消费电子与工业控制领域的多批次、定制化需求。2024年获评国家级“绿色工厂”，通过优化生产工艺（如无铅封装）降低能耗与污染，符合全球ESG趋势，增强对头部客户的吸引力，同时构建多元化供应链，与本土晶圆代工厂合作，减少对海外设备的依赖，提升供应链稳定性。