天眼查显示，江苏长电科技股份有限公司“半导体封装结构及其形成方法”专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN119626913A。

本发明涉及半导体封装领域，提供一种半导体封装结构及其形成方法，该方法包括提供玻璃基板，玻璃基板中具有若干分立的玻璃通孔互连结构；采用半导体前段制程中的BEOL工艺在玻璃基板的上表面形成无机介质层和位于无机介质层中的第一互连结构，形成的第一互连结构的密度大于后续在玻璃基板下表面形成的第二互连结构的密度，第一互连结构的特征尺寸小于后续形成的第二互连结构的特征尺寸；采用半导体后段制程中的RDL工艺在玻璃基板下表面形成有机钝化层和位于有机钝化层中的第二互连结构；在无机介质层的上表面贴装至少一个第一半导体芯片。该方法提高了玻璃基板上表面的第一互连结构的布线密度。