标题：SK海力士（DRAM）投资600万亿韩元建设龙仁半导体集群，首座晶圆厂2027年完工，产能目标2030年实现DRAM月产70万片 文章概述： SK海力士（DRAM）今日正式披露龙仁半导体集群投资计划，总规模达600万亿韩元。该计划原拟投资120万亿韩元建设四座晶圆厂，但当前首座晶圆厂投资额已攀升至120万亿韩元，与原总预算持平。首厂于今年2月动工，预计2027年5月竣工，后续三座晶圆厂将根据需求在2050年前分阶段建设。 投资激增主要源于龙仁市政策调整推动厂房面积扩张50%，二是半导体设备（如EUV光刻机）成本持续攀升。SK海力士董事长崔泰源提出的600万亿韩元预算，已纳入长期成本上涨预期。 产能扩张目标明确：清州M15X晶圆厂明年投产后，DRAM月产能将提升5万片；龙仁首厂2030年全面运营后，月产能再增20万片，至2030年实现DRAM月产70万片体系，缩小与三星电子（月产65万片）的差距。 投资规模扩大源于两方面：一是龙仁市政策调整推动厂房面积扩张50%，二是半导体设备（如EUV光刻机）成本持续攀升。SK海力士推进 EUV光刻胶研发，一方面是为了最大化利用单台价值 2000 亿韩元的 EUV 光刻设备，另一方面是为了应对 DRAM 芯片中 EUV 光刻层需求的快速增长。 随着 DRAM 芯片中 EUV 工艺的应用占比持续提升，光刻胶的研发必要性愈发凸显。不同世代 DRAM 的 EUV 光刻层数量呈递增趋势：10 纳米级 4 代（1a）为 1 层、5 代（1b）为 3 层、6 代（1c）为 5 层、7 代（1d）则达 7 层，10 纳米以下制程产品的 EUV 光刻层数量预计还将进一步增加。 大日本印刷株式会社（半导体光掩模）开发10nm纳米压印光刻掩膜版，计划2027年量产 大日本印刷株式会社（DNP）近日宣布，成功开发出电路线宽为10nm的NIL纳米压印光刻掩膜版，可用在相当于1.4nm级逻辑半导体的电路图形化。公司表示，该产品面向智能手机、数据中心、NAND闪存等应用场景中尖端逻辑芯片的微型化需求，目前正在启动客户评估工作，计划于2027年实现量产。 DNP指出，随着终端设备性能持续提升，市场对更先进制程逻辑半导体的需求不断加大，推动基于极紫外（EUV）光刻的生产技术演进。但EUV在生产线建设和曝光过程中需要巨额资本支出及高能耗，制造成本与环境负担成为行业关注焦点。自2003年起，DNP持续研发纳米压印光刻掩膜版，通过将电路图形直接压印到基板材料上，为制造商在部分工艺环节降低曝光能耗、优化成本结构提供了新的技术路径。 此项目的实施将有助于加快 Korea半导体制造业的发展步伐，尤其是在DRAM和NAND闪存等领域。韩国半导体制造业已经取得了长足的进步，未来将进一步强化在全球供应链中的位置。 最后，韩国芯片制造商铠侠（Kioxia）计划2026年在岩手县晶圆厂开始生产新一代NAND闪存芯片。这些改进型芯片旨在通过大幅提升长期数据存储容量，满足人工智能（AI）数据中心对海量计算的需求。该计划旨在创建高效的研发和生产系统，与铠侠三重县四日市工厂截然不同。 这表明，韩国半导体制造业正在朝着更高级别的技术水平迈进，并且正在积极寻求新的解决方案来应对全球市场的需求变化。

摘要：本文介绍了2026年1月10日在浙江宁波举行的2026高导热封装材料创新应用论坛，论坛的主题是“芯片封装高性能热界面材料”。论坛讨论了芯片封装的高性能热界面材料、高算力芯片中热界面材料的应用痛点与选型要求，烧结银/铜互连材料及低温烧结工艺产业化突破，石墨烯基热界面材料技术创新与突破，固晶胶膜的低温固化与导热平衡，底部填充胶与TSV工艺适配创新，高导热填料的制备研发与分散工艺优化（均匀分散、团聚抑制、界面结合增强），高导热环氧塑封料在 HBM / 先进封装中的成型工艺创新，碳纤维导热垫片设计与集成，高导热材料热性能测试与可靠性，导热印染，高导热电熔贴合技术，高温磁控沉积，石墨烯基热界面材料技术创新与突破，金刚石覆铜板的精密加工与封装基板，陶瓷TCV转接板产业化技术突破，金刚石/铜、碳化硅/铝（SiC/Al）、石墨铜、石墨烯铜等复合材料创新与产业化应用，封装热场模拟与高导热材料选型匹配，智能算数中心/新能源汽车封装热管理落地案例，以及2025先进封装及高算力热管理大会相关的信息。