标题：中国环氧塑封料行业发展概况 摘要：文章概述了中国环氧塑封料行业的现状和发展趋势。环氧塑封料是半导体封装环节的重要主材料，其在全球半导体封装领域的应用广泛。文章指出，随着全球化进程的加快，全球环氧塑封料市场规模呈现出稳定增长的趋势，并预测了未来的发展趋势。此外，文章还分析了当前的行业竞争格局和应用领域，强调了环氧塑封料的重要性。最后，文章提供了关于中国环氧塑封料行业的发展前景和挑战的信息。 关键词：环氧塑封料，半导体封装，行业，发展趋势，应用领域，竞争格局，应用领域，挑战

本文主要介绍了富士胶片（光刻胶）在静冈县启用最先进半导体用材料的研发基地的信息，包括富士胶片控股公司（HD）25日宣布的合作和共享信息。此外，还提到了德国诺赛科（氮化镓）与安森美半导体（系统封装与集成）达成的共同加速推进氮化镓产业生态建设的战略合作协议，以及西安奕材125亿投建武汉硅材料基地的消息。最后，还提到了深圳泽科半导体（氮化镓）与安森美半导体（系统封装与集成）达成的共同加速推进氮化镓产业的应用与布局，以及华为自动驾驶相关应用的半导体需求。

氮矽科技凭借其核心研发能力和国内优势，在第三代半导体技术引领下，成功打造出全球领先的氮化镓产品线，有望在未来推动新能源汽车、数据中心、绿色能源等领域的发展。此外，氮矽科技还积极履行社会责任，助力国产化供应链建设，助力行业发展。因此，氮矽科技有望在半导体行业中取得更大成就，成为“年度最具成长潜力奖”的候选人。

英诺赛科宣布与安森美合作布局氮化镓功率器件市场。双方将在40-200V功率器件领域合作，提升客户应用率。英诺赛科承诺于2026年上半年开始提供样品。合作有助于公司扩大氮化镓市场，并加速其在新能源汽车、人工智能、数据中心、工业等领域的发展。合作预期未来几年为公司带来数亿美元的氮化镓销售，并为合作双方在上述关键领域的市场拓展与布局带来先机。

2025年12月，芯干线携自主研发的 GaN（氮化镓）核心技术及产品参展世纪电源网主办的亚洲电源展，凭借突破性技术成果与高竞争力产品，成功斩获“GaN行业技术突破奖”。芯干线获奖技术已实现器件性能关键突破，且成功落地AI 算力、新能源汽车、海洋电子等高端场景，打破传统技术瓶颈，是其从参展企业中脱颖而出的核心原因。

标题：半导体产业观察：芯片危机重塑供应链，国产化迎来重要窗口 摘要： 这篇报道分析了芯片危机对全球汽车产业的影响，探讨了本土芯片厂商如何应对挑战，以及芯片产业未来的方向。 关键词：芯片危机，国产化，供应链，产业转型，韧性，安全性，供应链建设 引言： 随着芯片供应波动和供给不确定性增加，芯片产业正经历一场深刻的转型。本文通过对芯片危机的深度剖析，探讨了国产化的重要性，并提出了新的挑战和机遇。 正文： 1. 芯片危机对全球汽车产业的影响： - 供应链破裂：芯片供应的不稳定可能导致全球汽车供应链的混乱，影响到全球汽车产业的正常运行。 - 市场信心下降：芯片危机导致消费者信心下滑，对汽车行业的销量产生负面影响。 - 利润损失：芯片危机可能导致芯片生产商亏损，影响利润水平。 2. 本土芯片厂商如何应对挑战： - 加强自主研发：中国半导体厂商通过加大研发投入，提高技术水平，以适应市场需求的变化。 - 跨界合作：中国半导体厂商积极参与国际供应链，与其他国家进行深度合作，共享技术成果。 - 提升供应链协作：中国半导体厂商通过建立本地化供应链，提高供应链的灵活性和协同性。 3. 芯片产业未来的方向： - 国际化进程：随着中国半导体产业的发展，国际芯片巨头逐渐加大对中国的本土化布局，以加强供应链管理。 - 深度集成：中国半导体厂商将继续深化与主机厂和供应链的合作，形成完整的产业链条。 - 精准定位：中国半导体厂商将进一步细分市场，针对特定车型或应用场景，推出定制化的芯片产品。 结论： 芯片危机对全球汽车产业产生了深远影响，但本土芯片厂商依然面临着巨大的机遇和挑战。只有通过持续的技术创新和优化供应链，中国半导体产业才能在全球竞争中立足。

12月1日，纳微半导体宣布，其全新3300V与 2300V超高压（UHV）SiC产品已正式开始向市场提供样品，覆盖功率模块、分立器件及裸片（KGD）等多种形态。该系列产品在超高压功率电子器件领域树立了全新的可靠性与性能标杆。纳微全新3300V和2300V SiC器件基于其第四代GeneSiC™平台研发，采用TAP（沟槽辅助平面栅技术），通过多级电场管理设计显著降低电压应力、提升耐压能力，相较传统trench或平面型SiCmosFET展现更优的电压特性和可靠性。此外，纳微进一步扩展3300V/2300V UHV SiC产品组合，提供灵活多样的封装格式，以满足客户端不同应用的需求。针对高功率密度与高可靠系统，推出了先进的SiCPAK™ G+功率模块，支持半桥与全桥拓扑。据称，SiCPAK™ G+模块采用独特的环氧树脂灌封技术，相比业内常见的硅胶灌封方案，可实现 >60%的功率循环寿命提升，以及>10倍的热冲击可靠性改进。资料显示，纳微半导体成立于2014年，是全球下一代功率半导体领域的领军企业，核心技术聚焦氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）宽禁带材料，产品覆盖消费电子、AI数据中心、新能源汽车等领域，氮化镓芯片发货超1.25亿颗。威世推出1200V SiC MOSFET功率模块，主打中高频、高功率密度的功率转换场景进行深度优化，为能源、汽车、工业等领域提供高效可靠的解决方案。其中，VS-MPY038P120采用全桥逆变器拓扑，导通电阻低至38mΩ，在+80℃工况下可支持35A连续漏极电流；VS-MPX075P120则采用三相逆变器拓扑，导通电阻为75mΩ，+80℃下连续漏极电流可达18A，两款模块均具备 1200V耐压值与175℃最高工作结温，能适配复杂工况下的长期稳定运行。

科新咨询16年专注项目申报，后台留言或评论区发送【项目申报建议】，即可获取项目申报建议书，快速厘清企业可申报补贴或资质，助您少走弯路。 关于公布2025年度上海市科技型中小企业技术创新资金立项结果 的通知 各区科技主管部门、临港新片区管委会及有关单位： 根据《上海市科技型中小企业技术创新资金管理办法》（沪科规〔2025〕7号）和《关于2025“创·在上海”国际创新创业大赛征集通知》的要求，对2025“创·在上海”国际创新创业大赛“以赛代评”方式遴选出的“基于12nm先进工艺的国产替代PCIe Gen5交换机芯片”等538项项目予以立项，并给予相应资助，2025年共拨款12220万元。请各相关部...

点击上方蓝字关注我们吧 各区科技主管部门、临港新片区管委会及有关单位： 根据《上海市科技型中小企业技术创新资金管理办法》（沪科规〔2025〕7号）和《关于2025“创·在上海”国际创新创业大赛征集通知》的要求，对2025“创·在上海”国际创新创业大赛“以赛代评”方式遴选出的“基于12nm先进工艺的国产替代PCIe Gen5交换机芯片”等538项项目予以立项，并给予相应资助，2025年共拨款12220万元。请各相关部门按照有关要求落实配套资金并做好项目跟踪服务，各项目承担单位认真做好项目的组织实施和管理工作。 　　特此通知。 上海市科学技术委员会 2025年12月5日 序号 项目编号 项目名...

英诺赛科宣布使用氮化镓6.6kW OBC系统成功装车，实现行业领先充电效率和整机功率密度。苏州汇川联合动力系统股份有限公司推出新一代6.6kW GaN车载二合一电源产品，并集成OBC和直流变换器，提升充电效率和功率密度。英诺赛科与联合动力将携手推动新能源汽车产业向更高效、更可持续的方向升级。

标题：科大智联研发板智能装车系统成功打通最后一环，实现钢铁产业链全过程智能化 摘要： 科大智联研发板智能装车系统成功打通钢铁产业链的最后一环，实现了从板材下线、入库到成品装车发货的全价值链数字化闭环，为智能工厂的全面落地提供了有力支撑。 关键词：板智能装车系统，钢铁产业链，全过程智能化，智能工厂

摘要：本文主要关注了当前全球股市市场的变动情况。全球经济形势稳定，但同时也面临着新的挑战，如科技巨头的竞争加剧，以及国际贸易政策的变化。在此背景下，投资者需要关注各类公司的财务状况和市场表现，以做出最佳的投资决策。 正文： 1. 随着全球经济增长放缓，股市面临一定的回调压力。然而，这也为优质蓝筹股提供了良好的机会。例如，特斯拉、亚马逊等公司在新能源汽车领域有着强大的竞争力。 2. 股市的波动性也反映了投资者对全球经济前景的信心。各国政府都在努力应对经济危机，这可能会对全球股市产生影响。同时，投资者也需要关注新兴市场的情况，因为这些地区往往有更多的潜在机会。 3. 由于美国经济复苏缓慢，一些公司可能会面临经营困难。例如，微软、苹果等公司在智能手机市场上面临的挑战也不容忽视。 4. 在股市中，投资者需要注意风险管理。如果市场出现恐慌情绪，可能会影响公司的股价走势。因此，投资者需要密切关注市场动态，及时调整投资策略。 5. 股市中的热点股通常会受到高度关注。例如，特斯拉、亚马逊等公司在新能源汽车领域都有着强大的竞争力，因此这类公司常常被认为是未来的热门股。 总的来说，虽然股市面临一定的回调压力，但也存在许多机会。投资者需要根据自身的投资目标和风险承受能力，灵活地调整投资策略，以抓住市场的变化。

英国和美国公司英诺赛科（Innoscience）与美国运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者Allegro MicroSystems签订战略协议，推出了一个名为"Allegro4.2kW"的4.2kW全 GaN参考设计。这款设计采用了英诺赛科高性能氮化镓和Allegro的先进栅极驱动器技术，旨在改变下一代AI数据中心和边缘计算的电源单元（PSU）。这款电源供应单元参考设计整合了英诺赛科650V和150V高性能氮化镓功率晶体管与Allegro创新的Power-Thru™ AHV85110隔离式栅极驱动器，后者具备自供电架构，并集成偏置电源。该独特的组合可以实现卓越的开关性能和精简的系统设计，有助于工程师达成钛金级电源效率和超过100W/in³的功率密度，显著简化了系统设计，并显著减少了无源元件的数量。

亚化咨询发布《中国半导体材料、晶圆厂、封测项目及设备中标、进口数据全家桶》，涵盖中国大陆半导体大硅片、再生晶圆、8英寸晶圆厂、12英寸晶圆厂、半导体封测项目等。全年更新，可直接发送至客户指定邮箱。此外，还提供半导体细分产业链年度报告《中国第三代半导体（碳化硅与氮化镓）年度报告》和《中国半导体大硅片年度报》。关注亚化咨询，了解更多中国半导体领域发展现状。

本文摘要： 鹿邑县教育系统“五比五看”观摩评价组一行赴鹿邑弘道中学开展观摩评价与指导工作。活动旨在全面检视学校在办学理念、教学改革、育人成效等方面的实践成果，推动教育事业高质量发展。 感受育人环境与规范管理 检查组对学校规范化、精细化的管理体系表示肯定，并强调了教师队伍建设、学科活动以及德育工程的重要性。同时，检查组还对学校的党组织建设、党员发展与入选记录、党员学习笔记记录等工作给予了高度评价。 指明发展方向与提升路径 检查组在综合考察后认为，学校在日常管理、课程实施与校园文化建设等方面取得了一定成效。同时，结合学校发展实际，围绕加强教育科研、深化课程整合、促进教师专业成长、凝练办学特色等方面提出了建设性意见，为学校下一步发展提供了参考方向。 此外，文章还提到了中天汇富关注中国教育和高科技产业发展，坚持持续深耕稳健型价值投资领域的相关信息。

第三代半导体产业以服务产业、引领行业、传递企业声音为使命，促进产学研用合作以及跨界应用的开放协同创新，推动产业生态体系的建设，关注跟踪和培育拥有自主知识产权、知名品牌和市场竞争力强的优势企业，推动第三代半导体材料及器件研发和相关产业发展。

美国科研团队研发出一种氮化铝衬底上的新型晶体管架构，有望重塑高功率无线电子产品的设计范式，同时能缓解关键半导体材料的供应链风险。氮化铝作为超宽禁带半导体材料，具有缺陷密度低、耐高压高温、可减少电能损耗等优异特性。氮化铝衬底具有更高的热导率，能有效降低沟道温度，为提高通信距离或雷达探测能力创造了可能。该器件采用全晶格匹配结构，使晶体缺陷较传统Si、SiC或蓝宝石衬底基氮化镓器件降低约百万倍。氮化铝基XHEMT器件的商业化进程已取得重要突破，研究人员已在3英寸氮化铝晶圆上实现XHEMT结构的晶圆级生长，相关工作获得东北区域国防技术中心，即NORDTECH的支持。

本文以海洋凌科电子推出的新款40W-LC系列模块电源为例，详细分析了其技术特点、应用场景以及市场优势。其中，该系列采用了宽电压输入、内置EMC滤波器、抗雷击与浪涌保护等功能，旨在提高整体电源的稳定性、安全性及环境适应性。此外，它还具有高效的节能和热管理特性，能够在极端环境下保持稳定运行。总体来看，该系列电源在性能、可靠性与适用性等方面表现出色，并且在市场上具有良好的竞争力。

标题：中国光刻机产业有望迎来实质突破，差异化突围，不盲目跟随，开启新路径 摘要：随着全球半导体设备格局的不断变化，中国光刻机产业有可能迎来实质性的突破。传统认为，标榜ASML的顶级EUV机才是真正的“技术自主”。然而，近年来，中国并不陷入这种单一路径的“盲目追赶”。国内一些厂商选择更务实的道路。 中国某设备供应商已经交付了一款针对化合物半导体(如碳化硅、氮化镓等)的步进光刻机。这台机器虽然制程节点不算最前沿，但其兼容性和国产化率极高，恰好命中了功率器件和新能源、5G、Micro-LED等领域对成熟制程和特色制程的巨大需求。 同时，国内领先晶圆代工厂商也开始测试中国本土制造的深紫外(DUV)光刻设备。这个进展表明，中国并非简单模仿，而是在全球供应链断裂与技术封锁的背景下，主动构建适合自身需求的“分工体系”。 差异化策略有两层意义。第一，是规避高端EUV设备长期垄断可能带来的风险;第二，是在全球对成熟工艺需求未减的情况下，建立一条可持续、独立、成本可控的国产化供应链。 这种差异化策略有两层意义。第一，是规避高端EUV设备长期垄断可能带来的风险;第二，是在全球对成熟工艺需求未减的情况下，建立一条可持续、独立、成本可控的国产化供应链。这样的“守正并进”方式更稳，也更现实。 数据与软件双轮驱动——从硬件制造向生态构建转型 传统光刻机研发是一场极端复杂的工程，离不开光学、机械、材料等多学科协同。过去，设备好坏更多靠硬件设计和制造能力决定。现在，中国不少团队开始引入大数据和软件工具。 通过部署密集传感器网络，对设备运行时的温度、振动、光学参数进行实时采集，构建数字孪生模型。这些模型用于仿真、优化和调校，能够显著缩短设备调试周期，同时提高良率、降低维护成本。对于一家设备商来说，这意味着在“软实力”方面也具备较高掌控力。 更重要的是，软件系统也在加速本土化。一些国产光刻设备声称，其底层驱动和工艺管理软件实现了自主开发。即使外部供应链被切断，也能维持设备运行。这种软硬结合的方式，为光刻机产业构建出更强的“韧性”和“抗打压能力”。 这种模式与传统仅靠硬件突破的路径不同。它更贴近中国当下的产业环境。它放弃“一夜登顶”的幻想，而是稳扎稳打，先把“能用”“能稳定”“能维护”做好。 巨大的鸿沟仍在——不能掉以轻心 尽管进展值得肯定，但仍有现实问题不容忽视。全球光刻机市场目前呈现“一超多强”的格局。ASML掌握EUV高端市场。其他像日本的Nikon和Canon，主攻DUV和特色工艺领域。但这一体系背后的核心光源、核心光学、光刻胶、软件生态等环节，都与美国及荷兰、日本等国的技术高度绑定。 近日有报道指出，面对美国对光刻胶出口的限制，日本方面甚至可能断供给部分中国厂商。这意味着，即便中国设备构建成功，仍可能面临上游材料、关键组件被扼制。更何况，构成完整光刻机体系的不仅仅单台设备，还包括配套的光源、光刻胶、软件、检测工具等多个组件。要想真正实现“全产业链国产化”，还需要时间和持续投入，但前景是光明的，比如光刻胶，国内企业已经取得了突破，国产化替代指日可待。 另外，虽然国内有厂商开始测试自主DUV设备，但这还只是“试水”阶段。距离量产、稳定交付还有距离。若以为某一款设备投入使用，就可以说“中国已能独立造光刻机”，确实有些过于乐观，但不必悲观，既然已经开了头，以中国速度，后面的爆发力是相当惊人的。 市场大环境与战略潜力——这是一次长期博弈 尽管面临挑战，当前环境对中国光刻机产业而言，或许是前所未有的机遇。全球半导体产业正在经历供需再分配。人工智能、物联网、汽车电子、新能源应用等领域，对功率器件、功率半导体、化合物半导体的需求快速上涨。这类需求对先进制程要求不高，但对稳定性、成本和兼容性要求高。正是中国自主设备能够发挥优势的“刚需市场”。 此外，中国若能在成熟制程和特色制程领域站稳脚跟，就能积累宝贵的经验与技术储备。这为将来挑战更高端制程打下基础。相较于盲目追求顶峰设备，不如先把脚下的基础打牢。 另一方面，这也是一场全球话语权的重塑。不只是设备制造。更是关于谁来定义全球芯片产业标准，谁能拥有供应链主导权的竞争。若中国能够自主构建起较为完整的光刻机生态，那么荷兰、日本乃至美国主导的产业体系将不再牢不可破。 部分素材来源：时报新征途、金融界、陕西法制网、东方财富网

摘要： 日本半导体行业在全球半导体技术领域的垄断地位极为显著，特别是在材料和设备领域。其中，日本拥有76项半导体技术，其中80%的份额被归类为绝对垄断。这些技术主要集中在材料制备、设备制造、封装基础和关键环节。然而，这些垄断地位也引发了一些挑战，如知识产权保护、技术进步和竞争环境的变化等。此外，日本半导体行业的竞争也非常激烈，包括国际市场的竞争、本土企业的竞争以及政策法规的变化。 关键词：日本半导体，半导体技术，供应链，核心技术，知识产权保护，技术进步，竞争环境，政策法规 总结： 日本半导体行业在全球半导体技术领域的垄断地位是其竞争优势的重要体现。虽然存在一些挑战，但日本半导体行业仍然保持着强大的竞争力，并正在寻求新的发展机遇。