亲爱滴小伙伴们 最近微信又改版啦 邀请大家动动手指 把圈主设为星标 这样就不会错过我们的精彩推送了 直播时间： 12月10日 15:30 直播嘉宾： 梁杏 国泰基金总经理助理、量化投资部总监 精彩内容抢先看 2026年A股行情值得看好。市场环境层面，多因素形成共振支撑：基本面端，中游制造业资本开支与在建工程处于周期底部回升阶段，“补库存”行情有望带来周期性改善，市场对中央经济工作会议的政策指引抱有期待。资金面充裕，保险寿险、理财、年金等机构资金新增入市规模预计超1.3万亿元，海外资金净流入有望达1000-2000亿元，个人投资者资金动向成为关键变量。政策面延续“更加积极的财政政策和适度宽松的货...

摘要：2022年全球半导体硅片出货面积持续增长，但市场需求变化显著，主要受到行业周期下行的影响。预测到2023年全球12英寸硅片需求约为745万片/月，较2022年有所下滑。此外，随着新能源、AI行业的快速发展，2024年开始12英寸硅片将恢复同比正增长趋势。

AI革命可能导致“新世界”的到来，但同时也引发了一系列问题，如工作、教育、创造力和全球格局的重构等。AI的快速发展可能给人类带来更多的便利，但也可能加剧社会矛盾和不平等。为了应对AI带来的挑战，我们需要保持警惕，制定相应的政策和措施，以确保AI技术的健康发展。

标题：封装基板制备工艺的深度探讨 摘要： 随着科技的进步，封装技术的创新成为推动行业发展的重要动力。本文从工艺改进、精细线路的线宽和线距等方面展开论述，介绍了干膜特性、干膜工艺并重点介绍了国内新兴起的改良型半加成法工艺来制备基板的关键工艺流程。本文认为，要提高封装技术的性能、可靠性和成本效益，就需要从工艺改进和精细线路两个方面入手。 关键词：封装基板，制备工艺，干膜特性，干膜工艺，改良型半加成法，基板制造，精细线路，工艺改进，细节处理，微电子产品，技术路线，可靠性，功能 正文： 随着科技进步，封装技术的更新换代已经成为全球产业发展的重要驱动力。在当前，先进的封装形式，如球栅阵列和芯片级封装等，正在逐渐普及和发展，为满足不同引脚产品需求提供了更好的选择。这种新型封装形式不仅在理论上提高了封装技术的集成度、散热性能和更小的体积，而且在实际应用中也得到了广泛的认可。 在制造基板的过程中，干膜的特性、干膜工艺以及改良型半加成法工艺都是非常重要的。干膜特性决定了其在接合界面的保护效果，干膜工艺决定了其在加工过程中的耐用性，而改良型半加成法工艺则是在现有基础上进行改进，以提高封装基板的性能和功能。 在现代封装基板制造中，干膜成像技术起着关键作用。干膜成像是将干膜贴在已经覆铜的板子上，然后将保护膜去除；进行曝光之后，再把 PET 薄膜去除，进行显影，最后就会在覆铜的板子上形成线路。此外，干膜工艺和改良型半加成法工艺也被广泛应用在各种电子产品的制造中。 总的来说，封装基板制备工艺是一个复杂的系统工程，涉及到许多技术和环节。在未来的发展中，我们需要继续深入研究和开发新的技术，以提高封装技术的性能、可靠性和成本效益，满足不断变化的市场需求。

英伟达H200 AI 显卡在中国市场需求激增，预计全年销量超过500亿美元。

摘要：随着人工智能和大数据的快速发展，大硅片市场需求正在复苏。亚化咨询发布的《中国半导体大硅片年度报告》预计到2025年全球晶体硅产量将恢复同比正增长趋势，并且市场逐渐转向供不应求的状态。目前，中国半导体厂商已经占据了主导地位，而国内厂商也在积极布局。此外，智能电网、新能源汽车等领域也将推动大硅片需求的增长。

第八届半导体大硅片论坛将于2025年12月25-26日在中国南京召开。会议由亚化咨询主办，多家领先大硅片企业和相关材料、设备商参与，探讨下全球与中国半导体大硅片市场格局，大硅片项目规划与建设进展，供需与价格趋势，制造技术与关键材料、设备，以及电子级多晶硅与硅材料最新进展与展望。会议将组织参观南京晶升装备股份有限公司。会议报告将全球半导体行业趋势与大硅片产业展望，300mm硅片制造技术难点与解决方案，半导体产业与贸易战对大硅片市场的影响，大尺寸碳化硅外延技术研究现状与进展，大硅片工厂生产运营实战经验分享，大尺寸硅片市场供需分析及应用前景，电子级多晶硅项目规划与发展，大硅片制造的先进设备与前沿技术，工业参观：晶升股份——大尺寸半导体级单晶硅炉、碳化硅（SiC）长晶炉关键装备上市企业。赞助方案包括项目、赞助形式、赞助金额和赞助方式。

亚化咨询发布的《中国半导体大硅片年度报告2025》指出，全球半导体硅片需求预计将在2025年恢复同比正增长趋势，2026年市场将逐渐转向供不应求的局面。硅片行业高度集中，国内厂商如沪硅、有研、超硅、中欣晶圆、西安奕斯伟、中环、金瑞泓等企业正奋起直追。国内对硅片需求保持增长，特别是300mm的大尺寸硅片，契合大规模生产和高性能计算的需求，在新兴应用场景中需求增长明显。硅片行业高度集中，全球5大厂商（信越、Sumco、Siltronic、环球晶圆、SK Siltron）仍然占据主导地位，国内厂商如沪硅、有研、超硅、中欣晶圆、西安奕斯伟、中环、金瑞泓等企业正奋起直追。国内对硅片需求保持增长，尤其是300mm的大尺寸硅片，契合大规模生产和高性能计算的需求，在新兴应用场景中需求增长明显。硅片行业高度集中，全球5大厂商（信越、Sumco、Siltronic、环球晶圆、SK Siltron）仍然占据主导地位，国内厂商如沪硅、有研、超硅、中欣晶圆、西安奕斯伟、中环、金瑞泓等企业正奋起直追。国内对硅片需求保持增长，尤其是300mm的大尺寸硅片，契合大规模生产和高性能计算的需求，在新兴应用场景中需求增长明显。硅片行业高度集中，全球5大厂商（信越、Sumco、Siltronic、环球晶圆、SK Siltron）仍然占据主导地位，国内厂商如沪硅、有研、超硅、中欣晶圆、西安奕斯伟、中环、金瑞泓等企业正奋起直追。国内对硅片需求保持增长，尤其是300mm的大尺寸硅片，契合大规模生产和高性能计算的需求，在新兴应用场景中需求增长明显。硅片行业高度集中，全球5大厂商（信越、Sumco、Siltronic、环球晶圆、SK Siltron）仍然占据主导地位，国内厂商如沪硅、有研、超硅、中欣晶圆、西安奕斯伟、中环、金瑞泓等企业正奋起直追。国内对硅片需求保持增长，尤其是300mm的大尺寸硅片，契合大规模生产和高性能计算的需求，在新兴应用场景中需求增长明显。硅片行业高度集中，全球5大厂商（信越、Sumco、Siltronic、环球晶圆、SK Siltron）仍然占据主导地位，国内厂商如沪硅、有研、超硅、中欣晶圆、西安奕斯伟、中环、金瑞泓等企业正奋起直追。国内对硅片需求保持增长，尤其是300mm的大尺寸硅片，契合大规模生产和高性能计算的需求，在新兴应用场景中需求增长明显。硅片行业高度集中，全球5大厂商（信越、Sumco、Siltronic、环球晶圆、SK Siltron）仍然占据主导地位，国内厂商如沪硅、有研、超硅、中欣晶圆、西安奕斯伟、中环、金瑞泓等企业正奋起直追。

标题：国产CPU首次在5G扩展型皮基站规模化应用 内容摘要： 本文介绍了国产CPU首次在5G扩展型皮基站规模化应用的情况。中国电子旗下的飞腾公司与中国移动联合定制的飞腾腾云S5000C-M CPU是国产CPU首次在5G扩展型皮基站实现规模化应用。 关键词：国产CPU、5G、皮基站、规模化应用、国产化、华为、小米、荣耀

本文主要探讨了中国在人工智能领域的进步和发展情况，特别是中国科技公司在人工智能领域的研发进度和成果。作者强调了中国在具有前瞻性和实力的研发过程中所展现出的独特优势和潜力。文章还提到了中国在人工智能领域的一些重大进展，如具身智能机器人和智元远征A2的成功落地。文章指出，中国拥有独特的技术优势和人才培养能力，以及完善的产业链和成熟的基础设施，这些都是中国在人工智能领域取得成功的关键因素。最后，文章呼吁全球关注中国在人工智能领域的地位，并期待中国在未来继续发挥其在人工智能领域的引领作用。

标题：双大马士革工艺：设计与应用 摘要： 双大马士革工艺是一种利用双层铜互连线构建先进制程中多层铜互连线核心技术的工艺。这种工艺的出现极大地推动了集成电路的发展，并且在当今的半导体制造领域中具有重要地位。 来源：中国科学院半导体研究所 关键词：双大马士革工艺、晶体管、电路设计、新型材料 引言： 在芯片制造领域，双大马士革工艺因其独特的设计和高效的工作效率而受到广泛关注。本文主要介绍了双大马士革工艺的基本概念，包括其历史背景、核心技术和应用场景。 一、双大马士革工艺的历史背景 双大马士革工艺最早由美国工程师杰夫·贝克尔在1997年引入，这是他在一次实验中发现的。这种方法通过一次刻蚀和填充过程，不仅形成了垂直连接的通孔和水平走线的导线沟槽，还实现了铜的多层互连。这种工艺在当时被称为“双大马士革”。 二、双大马士革工艺的核心技术 双大马士革工艺的核心技术包括：先刻槽，后填金属，最后抛光。其中，先刻槽用于形成通孔，后填金属用于形成导线沟槽，最后抛光用于去除氧化物，保证了电路的质量。 三、双大马士革工艺的应用场景 双大马士革工艺广泛应用于集成电路的设计和制造中，尤其在微米级的早期制程下，对于导线电阻和信号延迟的需求不高。随着制程的不断微缩，随着晶体管尺寸接近0.18微米时，铜的电阻率下降，导线的电迁移现象显现，导致了芯片可靠性降低。 四、双大马士革工艺的优势 双大马士革工艺的优势主要体现在以下几个方面：提高加工效率、降低成本、降低制造误差、提高芯片性能等。这些优势使得双大马士革工艺成为了半导体制造的重要工具之一。 五、双大马士革工艺的未来挑战 尽管双大马士革工艺已经取得了显著的成果，但仍面临一些挑战。例如，铜的电阻率随着厚度的增长可能会导致电路性能下降。另外，如何更好地理解和利用铜的电迁移效应，是双大马士革工艺未来发展的一个重要方向。 总结： 双大马士革工艺以其独特的设计和高效的工艺流程，在集成电路制造领域中具有重要的地位。虽然双大马士革工艺面临一些挑战，但其在电路设计和制造中的应用仍然具有重要意义。未来，我们需要继续探索和改进双大马士革工艺，以提高其在集成电路制造领域的应用价值。

标题：干法刻蚀中的频率选择：理论解析与实践应用 摘要： 本文主要介绍了干法刻蚀中不同频率的电源在实际应用中的应用。干法刻蚀是一种基于物理撞击的腐蚀方法，其中高频电源的使用能够产生较高的等离子能量。不同的频率对等离子的能量影响显著，从40kHz到100kHz等，以及13.56 MHz到27.12 MHz等。 关键词：干法刻蚀；频率选择；等离子能量；离子动能；电流驱动 正文： 本文首先回顾了干法刻蚀的基本原理，并解释了不同频率电源的使用对等离子能量的影响。然后，我们讨论了高频电源在干法刻蚀中的应用，包括其对等离子能量的影响，以及如何根据具体的工况选择合适的高频电源。 接下来，我们深入分析了高频电源与离子动能的关系。高频电源通过增加离子的能量，提高等离子能量，从而提高刻蚀效率。然而，高频电源也存在一些问题，例如可能导致等离子能量的下降，甚至可能破坏电路。 最后，我们探讨了干法刻蚀中其他频率的电源的应用情况，包括40kHz、2 MHz等。这些频率的电源在实际应用中有着广泛的应用，包括半导体设备、电子设备等。 总结： 本文通过对干法刻蚀中不同频率电源的详细分析，阐述了高频电源在干法刻蚀中的重要性，并提出了相应的选择建议。同时，我们还讨论了高频电源与离子动能的关系，以及在实际应用中的问题和挑战。 关键词：干法刻蚀；频率选择；等离子能量；离子动能；电流驱动；高频电源；等离子清洗

标题：CPU、GPU、AI芯片、GPGPU、DPU的区别详解 摘要： 这篇文章介绍了CPU、GPU、AI芯片、GPGPU、DPU等不同类型计算机的核心技术，包括它们与传统CPU的区别。文章通过类比的方式解释了这些技术在不同场景下的应用，并指出它们的优缺点。 关键词：CPU、GPU、AI芯片、GPGPU、DPU；应用场景、性能对比；区别分析；优势劣势；发展趋势。 总结：本文以深入浅出的方式讲解了计算机的核心技术和它们的应用场景，帮助读者更好地理解计算机的工作原理和技术动态。