三星电子的新一代1d DRAM（第七代10nm工艺）由于良率未达标，短期内可能无法投入量产，从而影响其面向下一代HBM内存的推进节奏。
据韩国媒体报道，由于基于10nm工艺的1d（D1d）DRAM良率不理想，三星可能暂缓其下一代HBM5E产品的大规模生产。尽管该DRAM技术此前已获得预生产批准（PRA），但由于良率低于目标水平，公司对试产乃至量产的投资回报率（ROI）产生担忧。
一位接近三星内部的人士表示：“三星电子计划在D1d良率达到目标之前无限期推迟量产，目前尚未确定重启时间。公司正通过全面重新审视工艺路线图来提升良率。”
D1d DRAM技术在三星未来HBM路线图中至关重要，预计将用于其第九代HBM产品HBM5E。
目前，1c DRAM已应用于包括HBM4、HBM4E和HBM5在内的三代HBM产品。其中，HBM4预计将在今年晚些时候推出，将用于英伟达的Vera Rubin平台以及AMD的MI400平台；HBM4E则可能用于Rubin Ultra和MI500加速器；HBM5及定制版本预计将应用于英伟达 Feynman系列及其他竞品方案。
此前有报道称，三星正在大幅压缩HBM的研发周期，尽管这有助于更快推出新产品，但并不意味着能够快速实现量产。
与此同时，三星也在加大产能布局，在韩国温阳建设一座大型芯片工厂。该设施面积相当于四个足球场，将用于生产包括HBM在内的下一代DRAM产品，涵盖封装、测试、物流及质量控制等关键环节，以支撑长期稳定生产。
在HBM赛道上，三星正与SK海力士展开激烈竞争。后者已在D1d DRAM技术上实现良率突破。（校对/赵月）
