1、涉嫌操纵价格和供应，韩国检方对三家半导体材料供应商展开强制调查
2、南京大学杜源、杜力教授团队在ISSCC 2026发表重要成果，创造超高边缘带宽密度世界纪录
3、南京大学团队突破可见光微型化器件光功率与光带宽的通信性能瓶颈
4、南京大学余林蔚、王军转教授课题组在锗量子点精准构筑与单空穴器件研究方面取得重要进展
1、涉嫌操纵价格和供应，韩国检方对三家半导体材料供应商展开强制调查
据业内消息人士透露，在发现半导体封装材料供应商涉嫌串通操纵价格和供货量后，韩国检方已启动强制调查。
由检察长So Jung-soo领导的首尔中央地方检察厅犯罪收益追缴部，于5月29日对MK Electron、LT Metal和Duksan Hi-Metal展开搜查取证。上述企业均为包括三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK hynix）在内的大型芯片制造商提供材料。检方怀疑这些公司通过协调半导体材料价格及出货量，违反了公平交易相关法律。
目前，涉嫌串通的具体产品和细节尚未公开。不过，业内普遍认为，此次调查可能涉及半导体后道封装工艺中使用的材料，例如焊球（solder balls）和锡膏（solder paste），这些正是涉案企业的主要供应产品。
MK Electron主要生产用于连接半导体芯片与基板的键合线（bonding wire）、焊球及锡膏；Duksan Hi-Metal则供应焊球和锡膏；而LT Metal作为LG-LS集团体系内关联企业，同样生产键合线、焊球及锡膏等产品。
MK Electron于5月29日表示，公司将以透明、诚实的态度配合调查，但目前尚未接到检方通知，无法确认具体涉及哪些产品或合同。
Duksan Hi-Metal也表示，目前调查仍处于初期阶段，尚未确认任何具体违法指控，公司将全面、透明地配合后续调查程序。
此次搜查行动于5月29日上午在各公司总部同步展开。MK Electron总部位于京畿道龙仁市处仁区蒲谷邑；Duksan Hi-Metal总部位于蔚山市北区莲岩洞；LT Metal总部位于首尔江西区麻谷洞。部分公司的搜查取证工作持续至当天下午。
2、南京大学杜源、杜力教授团队在ISSCC 2026发表重要成果，创造超高边缘带宽密度世界纪录
近日，南京大学杜源、杜力教授团队在集成电路高速互连领域取得重大突破。团队联合平头哥（上海）半导体有限公司研究团队，相关科研成果以《A 47.0Tb/s/mm 112Gb/s/pin PAM4 Single-Ended Transceiver Featuring 4-Aggressor Crosstalk Cancellation and Supply-Noise Tolerance for Short-Reach Memory Interfaces》为题，发表于国际集成电路领域顶级会议ISSCC 2026。该成果成功创造了47.0Tb/s/mm超高边缘带宽密度世界纪录，相关技术已应用于AI智算芯粒与HBM存储芯粒接口研发，产品曾亮相央视《新闻联播》，为国产AI芯片对标国际先进水平提供核心技术支撑。
图1 南京大学电子科学与工程学院杜源、杜力教授团队ISSCC 2026发表论文
ISSCC：全称为IEEE International Solid-State Circuits Conference（国际固态电路会议），是集成电路设计领域公认的国际最高级别学术会议。
图2 ISSCC 2026存储器接口分会场主席与报告人员合影
图3 国际集成电路权威Behzad Razavi教授见证我校科研成果亮相ISSCC
随着高性能计算、人工智能技术的爆发式发展，HBM、UCIe等短距离Chiplet接口对高带宽、高密度传输的需求激增，单端信号传输已成为实现高带宽I/O密度的主流方案。但在超高速率传输场景下，行业面临着功耗、串扰与电源噪声的三重严峻挑战——高阶调制单端信号对各类噪声干扰极度敏感，传统方案要么仅能支持低速率传输，要么无法平衡功耗与信号完整性，难以适配多层中介层的高密度应用场景，成为制约高速互连技术发展的核心瓶颈。
面对行业痛点，研究团队在28nm CMOS工艺下，设计出一款集成4源串扰抵消与电源噪声抑制技术的5路单端112Gb/s/pin PAM4收发机（图4），攻克了高密度短距离存储接口的信号完整性难题，核心指标达国际领先水平。该芯片的核心创新与贡献主要体现在三大方面：
（一）低耗前端设计，兼顾能效与信号补偿：研发低功耗三重均衡驱动器与电阻反馈放大器端接方案，针对短距通道特性设计轻量级多频点均衡器，实现9.1dB信号损耗改善的同时，整体功耗仅有3.8mW，大幅提升能量效率。
（二）四源消扰，破解高密度串扰难题：首创四路干扰源脉冲匹配串扰抵消技术，通过延迟匹配与脉冲波形拟合，将完全闭合的112Gb/s PAM4信号眼图改善至在BER<10-9下张开度大于160mUI x 40mV的有效眼图，实现四路串扰源的有效补偿，为超高密度下的超高速信号提供可靠支撑。
（三）抗噪时钟，提升系统鲁棒性：设计基于传输线的全局时钟分配网络+电源噪声补偿的局部时钟网络，大大降低电源噪声引发的信号抖动；在100mV电源噪声下，信号眼宽波动被限制在5%以内，显著提升系统对电源噪声的容忍性。
图4 原型芯片架构及测试
测试结果表明，该芯片实现了5 x 112Gb/s下误码率低于10-9的有效传输，达成了国际领先的47.0Tb/s/mm带宽密度与0.52pJ/b能效，可有效应对严苛的串扰与电源噪声环境，信号完整性与传输可靠性显著优于传统方案（图5）。
图5 带宽密度和能源效率达国际领先水准
3、南京大学团队突破可见光微型化器件光功率与光带宽的通信性能瓶颈
近日，南京大学第三代半导体与高能效器件重点实验室庄喆、刘斌团队研制出电泵浦氮化镓基回音壁模式微腔激光器，通过创新结构设计与器件工艺解决了氮化镓基激光器的高阈值、低品质因子、多模激射等难题，实现了稳定单模运行的可见光全向千兆通信新链路，光功率和光带宽获得了显著提升，有望为可见光光纤/自由空间通信、片上集成光子学提供紧凑高效光源。相关研究成果以 “面向光广播通信的全向辐射电泵浦单模微型激光器”（Electrically pumped single-mode micro-lasers with omnidirectional radiation for optical broadcasting communication）为题于2026年2月6日发表于《Science Advances》期刊，（DOI: 10.1126/sciadv.aeb1682）。
研究背景：
高速可见光通信（简称VLC）是先进无线通信领域的核心技术之一，能满足人工智能与大数据服务的海量信息传输需求，而光互连技术（一种用光进行快速数据交换的新技术）也已成为微电子芯片间数据交换的重要方案。无论是高速光通信还是芯片间光互连，都迫切需要一种“紧凑、高调制带宽、低功耗”的微型光源。Micro-LED是当前高速可见光通信的一种重要微型光源，其光互连技术已受到英伟达、台积电等全球先进半导体企业的加速布局。然而，受限于自发辐射和光效Droop机制，Micro-LED输出光功率通常只有几mW，光调制带宽（-3dB）局限在2GHz以下，成为现阶段高速、低噪声可见光通信技术的主要性能瓶颈。
相较之下，微型激光器（Micro-LD）由于其固有的受激辐射机制，能够突破传统LED的自发辐射和光效Droop的固有瓶颈。其中，回音壁模式微型激光器凭借其简单器件结构、横向光耦合特性和超高品质因子（Q值），有望实现片上集成，成为热点研究方向之一。当前，虽然科研人员已成功实现了光泵浦与电泵浦的回音壁模式微盘激光器，但器件还普遍存在高阈值、低Q值、多模激射等核心问题，严重制约了其在光通信中的实际应用。因此，创新设计回音壁模式激光器结构及制造工艺，突破微腔性能瓶颈，是微型激光器走向实际应用的关键。
研究成果概况：
针对上述难题，南京大学团队提出了低损伤微腔刻蚀工艺与横纵向光限制腔结构，显著降低了回音壁模式微腔的侧壁损伤，制备出连续电泵浦的蓝光微盘激光器，阈值可低至0.9kA/cm²，微盘直径可从160μm微缩至10μm，斜率效率超0.4 W/A，外量子效率约13%，为大规模、可重复制造高性能氮化镓基回音壁模式微腔激光器奠定了技术基础。
进一步，团队提出了将微盘腔结构转换为微环腔结构，有效抑制了高阶回音壁模式，在不提升阈值的前提下，实现了室温连续电泵浦的单模回音壁模式激光器，品质因子达17066，较此前报道的品质因子记录提升69%。鉴于回音壁模式激光器的辐射面内各向同性，团队首次提出了单模微型激光器的广播式通信新链路模式，其−3dB带宽超4GHz，且不受发射角度影响；单器件光功率达20mW以上，并成功在自由空间链路、耦合光纤链路两种典型通信场景中完成了高速信号传输的验证，均可支持超 6Gb/s 的非归零码（NRZ）传输，突破了现有可见光通信的功率-带宽瓶颈。
上述研究成果展示了一种紧凑、高功率、单模、横向光耦合的高速微型光源，未来有望应用于高速可见光通信与片上集成光子学，为我国在新一代光电集成技术布局中提供全新解决方案。
图1 连续电泵浦 GaN 基 回音壁模式微盘激光器的电光特性
图2 连续电泵浦 GaN 基 回音壁模式单模微环激光器的电光特性
图3 连续电泵浦 GaN 基回音壁模式微型激光器的高速通信性能
4、南京大学余林蔚、王军转教授课题组在锗量子点精准构筑与单空穴器件研究方面取得重要进展
在先进半导体器件向更小尺寸、更高性能演进的进程中，量子点（QDs）作为实现单电子/单空穴操控的核心单元，被视为构建未来量子计算、超灵敏传感及低功耗纳米电子学的关键基石。其中，锗（Ge）因其强自旋-轨道耦合、高载流子迁移率、无谷简并特性以及与Si基CMOS工艺的天然兼容性，成为实现全电控空穴自旋量子比特的理想材料平台。
然而，长期以来，如何在无需高分辨率光刻的前提下，实现位置与尺寸双重精准可控的锗量子点（Ge-QDs）集成，一直是制约其规模化应用的核心瓶颈。目前，Ge-QDs制备方法基于Si/Ge异质结能带工程实现，但需依赖极紫外或电子束光刻多重栅极静电约束，工艺复杂、成本高昂；而基于自下而上气液固（VLS）催化生长的Si/Ge异质纳米线虽具备“天然”量子限域潜力，却受限于纳米线垂直生长的特性，需额外转移至平面进行后续器件制备，严重阻碍了可靠电学连接与阵列化集成。
近日，南京大学余林蔚、王军转教授课题组基于面内固液固生长（IPSLS）机制提出一种“台阶限域异质前驱体供给”（sc-HPS）新策略，首次在无需高精度光刻的前提下，实现了Ge-QDs在硅纳米线中的精准定位与尺寸可控构筑，利用Si/Ge之间的Type II带隙偏移，成功制备出可在50 K温度下稳定运行的单空穴晶体管器件，为硅基量子器件的大规模可控制造提供了全新技术路径。
图1.Ge-QD单空穴晶体管的概念和实现路线。基于IPSLS机制的sc-HPS策略：IPSLS生长嵌入在SiNW中的单个Ge-QD，形成明确的SiNW/Ge-QD/SiNW轴向异质结构。
关键突破：从“随机形成”到“确定性构筑”
研究课题组以IPSLS生长机制为基础，通过精准的前驱体空间限域设计，实现了Ge-QDs的定域成核与尺寸调控。核心创新在于对SiO2/非晶锗（a-Ge）叠层进行斜向图案化刻蚀，将a-Ge的供给严格限制在预设台阶边缘的窄条区域，铟（In）催化剂液滴仅能在指定位置吸收Ge源，使Ge-QDs于台阶边缘精准成核生长，最终实现单步生长形成连续的SiNW/Ge-QD/SiNW轴向异质结构。
通过系统优化叠层前驱体厚度与催化剂尺寸等关键参数，实现Ge-QDs尺寸可调范围约25–150 nm，Si/Ge界面过渡区仅约3.5 nm，形成原子级锐利的异质界面，为单空穴的3D量子限域提供了优良的结构基础。
图2. SiNW中精确定位的Ge-QD的结构和成分表征。
机理揭示：建立空间受限前驱体供给与液滴动力学平衡模型
研究课题组进一步系统揭示了sc-HPS机制下Ge-QDs形成的动力学过程，建立了基于前驱体供给量与催化液滴体积之间的定量关系模型，划定了实现连续SiNW/Ge-QD/SiNW异质结构的生长窗口。
研究发现，当暴露Ge前驱体供给量满足临界条件时（ha−Ge < hcrita−Ge），液滴内Ge浓度可稳定维持在低于自发成核阈值范围（ϕ∗Ge < ϕGe），从而避免随机成核并确保Ge-QDs仅在纳米线后端异质界面处外延生长，实现连续异质结构的稳定形成。同时，该模型进一步揭示了Ge-QDs尺寸与催化液滴尺寸之间的线性关系，为量子点尺寸可控调节提供了理论基础。
图3. sc-HPS机制下Ge-QDs形成的动力学过程。
器件验证：实现50 K稳定运行单空穴晶体管
课题组基于该SiNW/Ge-QD/SiNW轴向异质结构，利用Si/Ge之间的Type II带隙偏移实现空穴在Ge-QD内的强3D限域，成功制备出单空穴晶体管原型器件。电学测试表明，该器件在50K温度下呈现出显著的库仑阻塞振荡和清晰的库仑菱形特征，证实了Ge-QD对空穴的高效量子限域和稳定的单空穴充电行为，提取的器件充电能量约14 meV，与理论计算高度吻合。对比实验进一步证明，器件的单空穴特性来源于Ge-QD的量子限域效应，而非SiNW。
图4.单空穴晶体管的制备与测试。
应用前景广阔
该sc-HPS策略不仅解决了Ge-QDs定位难、集成难的长期挑战，更开创了一种“材料自对准”替代“工艺对准” 的新范式。其低温（<350°C）、CMOS兼容的工艺特性，使其可直接拓展至玻璃、聚酰亚胺等柔性衬底，为柔性、透明量子电子器件提供可能。此外，该方法具有优异的材料普适性——通过替换前驱层组合，有望构建SiGeNW/Ge-QD或GeNW/Si-QD等新型异质结构，为多材料体系量子器件设计开辟新路径。
