近日，第七届中国实验室发展大会（CLC2026）在北京国家会议中心盛大召开。本届大会以“前瞻・融合・创新——实验室生态发展新机遇”为主题，政府主管部门、行业协会、科研院所、领军企业及权威专家汇聚一堂，共探实验室技术创新、产业升级与生态构建新路径。
本次大会聚焦实验室数智化转型、高端仪器自主创新、AI技术融合应用等行业热点，设置九大专业分论坛。在半导体仪器仪表技术专场，东方晶源副总裁孙伟强博士受邀参会并发表题为《用于先进工艺制程的电子束量检测技术》的主题演讲，系统阐述了电子束量测检测设备在集成电路先进制程中的核心价值、国产化攻坚历程与未来发展方向。
集成电路高端量测检测设备是芯片制造的“尺子”和“眼睛”，是先进制程良率管控、工艺迭代优化、微小缺陷精准检测的核心关键装备，全面贯穿芯片研发、试产、规模化量产，更是长期制约我国半导体先进制程突破的“卡脖子”关键环节。
面对先进制程对检测精度、检测效率、智能管控能力提出的严苛要求，东方晶源（DJEL®）始终坚守自主研发初心、坚持核心技术自立自强，依托自主可控的电子光学系统（EOS）底层核心技术，持续深耕技术迭代与工艺优化，成功打造EBI、CD-SEM、DR-SEM、HV-SEM全系列电子束量测检测设备（SEpA®系列），实现半导体电子束量测检测多场景、全领域覆盖。目前，产品多项核心技术指标已达到国际先进水准，成功打破海外长期技术垄断，补齐国内集成电路高端量检测设备产业短板，为国内先进制程国产化落地筑牢核心装备根基。
演讲中，孙伟强博士针对行业普遍面临的成像精度、量产产能、智能算法三大核心技术难题，分享了行业发展趋势、技术突破与东方晶源的产业化实践成果。
在成像技术层面，浸没式复合物镜、球差色差校正等核心技术，是突破设备空间分辨率极限的主要路线。针对先进工艺中的深层结构量检测需求，业内的主流方案是搭载40-60kV高能电子束技术，以精准实现多层结构透视检测、深孔倾斜精准量测、掩埋缺陷有效识别，大幅提升先进制程缺陷检测能力。
在产能升级层面，一方面需要突破纳米级精准定位、多维度同步测量、高速信号补偿、高精度偏转控制等关键技术瓶颈，实现设备连续扫描、动态实时补偿，极大缩减设备平台移动损耗时间。同时，多电子束成像技术以多点并行成像替代传统单点成像模式，扩容信号传输通道，实现成像速率倍数级提升，顺利推动设备从离线抽检模式，推动产线迈入在线检测新阶段，适配晶圆厂量产高效生产需求。
在智能算法层面，AI赋能智能制造战略，推动量测检测技术智能化转型是业内共识。通过自研智能算法体系，实现缺陷自动检测与分类、AI图像智能增强、工艺Recipe自动化生成、设备智能调机等全流程智能化功能。此外，通过与东方晶源PanGen Sim®等产品深度链接，彻底改变传统单一“被动检测发现问题”的模式，构建起“设计–仿真–预测–量测”一体化协同优化的全新技术体系，助力芯片制程工艺持续迭代、量产良率稳步提升。
围绕上述技术方向，东方晶源已开展并行研发，并持续取得技术突破。未来，东方晶源将持续扎根半导体设备赛道，坚守自主创新核心战略，持续攻坚先进制程核心技术难题，以技术迭代突破产业壁垒，以硬核产品赋能国产芯片产业升级，为我国集成电路产业链自主可控持续贡献核心力量。
