英特尔已决定采用ASML新一代高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV），生产部分旗舰级Panther Lake笔记本电脑处理器。
ASML表示，在2024年启动相关测试后，英特尔目前已开始在Panther Lake芯片的部分制造环节中使用High NA EUV设备。该设备可将电路图形投射到芯片上，英特尔将其用于特定芯片层，以便与ASML共同收集生产数据并进一步优化设备。
High NA EUV被视为下一代先进光刻技术。随着芯片制程持续微缩，业界普遍认为该设备未来将成为芯片制造商进一步缩小电路尺寸的重要工具，但何时大规模导入才具备经济效益，仍存在讨论。
High NA EUV设备单台售价约4亿美元，是标准EUV光刻机的两倍左右，同时在导入生产流程时也面临较高的技术难度。
Panther Lake芯片采用英特尔18A工艺制造，目前其生产过程中已经使用ASML的标准EUV光刻机。此次进一步导入High NA EUV，主要用于芯片部分特定层的制造。
英特尔于2024年在美国俄勒冈州希尔斯伯勒研发基地接收首台High NA EUV设备。该基地主要负责英特尔新制造工艺和技术的研发。
英特尔未对相关消息置评。
