8月19日晚，中微半导体设备（上海）股份有限公司（688012.SH，简称"中微公司"）披露2026年半年度报告。上半年，公司实现营业收入66.91亿元，同比增长34.89%；归母净利润28.25亿元，同比暴增300.22%；扣非归母净利润11.23亿元，同比增长108.36%。同日，公司公告拟投资35亿元建设中微临港产业化基地（二期）项目——这已是中微在半年内落子的第四个产能项目。报告期内完成对杭州众硅的CMP设备并购，标志着公司从"干法"向"干法+湿法"整体解决方案的关键跨越。
300%净利增速拆解：近六成靠非经常性损益
净利润同比暴增300.22%，这一数字无疑足够吸睛。但拆解利润来源可以发现，增长由三重因素叠加驱动，可持续性各不相同。
公司明确披露了三重驱动：第一，营业收入增长34.89%带动毛利较上年同期增加约6.82亿元——这是最核心、最具可持续性的增长来源，源于先进逻辑和存储器件关键刻蚀工艺高端产品付运量显著提升。第二，以公允价值计量的对外股权投资产生公允价值变动收益和投资收益合计约10.29亿元，较上年同期增加约8.61亿元。第三，报告期内出售部分拓荆科技股票，产生投资收益约9.53亿元——一次性收益，不可持续。
报告期非经常性损益合计17.03亿元，占归母净利润比例接近六成。公司亦明确提示该等投资收益不具有可持续性。真正反映主营业务盈利能力的扣非净利润增速为108.36%——这仍然是一个亮眼的数据，但与300.22%的表观增速之间的鸿沟，投资者需要清醒认识。
毛利率方面，上半年毛利率39.74%，与上年同期39.86%基本持平。经营活动现金流净额6.85亿元，同比增长237.39%，显示回款能力显著改善。加权平均净资产收益率11.56%，同比提升8.07个百分点。
刻蚀设备：60:1已成标配，90:1即将登场
刻蚀设备是中微公司的基本盘。上半年，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，多款关键刻蚀工艺实现大规模量产，直接驱动了营收增长。
在CCP（电容耦合等离子体）刻蚀设备方面，60:1超高深宽比介质刻蚀设备已成为国内标配设备，量产指标稳步提升。针对超高深宽比刻蚀工艺开发的全新Primo XD-RIE已完成实验室马拉松测试，Beta机在客户端验证顺利。下一代90:1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。同时，针对7纳米及以下逻辑器件的全新高选择比高均匀度刻蚀设备，预计2026年内付运客户端进行工艺验证。
在ICP刻蚀设备方面，低温高深宽比刻蚀设备Primo Nanova LUX-Cryo已在客户下一代产品产线上稳定量产，下一代高精度ICP刻蚀设备Primo Angnova Beta机在客户端认证顺利并取得多个重复订单。
存储器件从平面2D到立体3D架构的转换，是中微刻蚀设备增长的核心逻辑。3D NAND层数持续增加，每一层的刻蚀步骤成倍增长，深宽比要求越来越高。60:1设备已标配、90:1即将登场，意味着公司正在充分受益于3D化带来的设备需求量乘数效应。
薄膜与MOCVD：从验证走向量产
在巩固刻蚀设备领先地位的同时，中微公司薄膜沉积设备产品矩阵持续丰富，正在从"技术验证"迈向"量产放量"阶段。钨系列薄膜沉积产品已全部通过关键存储客户端量产验证并获得重复量产订单；金属栅系列（ALD氮化钛、ALD钛铝、ALD氮化钽）已完成多个先进逻辑客户设备验证；金属硅化物集成系统Preforma Uniflash已交付多个先进逻辑和存储客户。
在泛半导体领域，中微的MOCVD设备也在拓展新版图。面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用MOCVD设备已付运领先客户验证；新型8寸碳化硅外延设备已进入国内头部企业并取得重复订单；公司还启动了磷化铟（InP）材料体系专用MOCVD设备的开发，进一步拓展应用版图。
平台化战略：CMP并购完成，四大前道工艺齐备
报告期内最具战略意义的动作，是完成了对杭州众硅公司控股权的收购。中微斥资15.76亿元收购众硅64.69%股权，将CMP（化学机械抛光）设备纳入产品版图。杭州众硅是国内少数掌握12英寸高端CMP设备核心技术并实现量产的企业。CMP是前道制造中唯一的全局平坦化工艺，与中微现有的刻蚀、薄膜沉积等干法设备形成互补。
收购完成后，中微公司成为国内同时拥有刻蚀、薄膜沉积、CMP、量检测四大前道核心工艺设备能力的综合设备平台厂商。这一平台化布局的战略价值在于：对单一晶圆厂客户而言，中微可以从多品类提供成套设备解决方案，大幅提升单厂配套订单能力和客户粘性。
目前公司已开发出54种高端半导体设备，产品覆盖超30%的前道集成电路设备。董事长尹志尧明确提出，未来五年将通过自主开发与外延并购，覆盖至少60%以上、超100种半导体高端设备，在先进封装领域覆盖70%以上的关键设备。
研发加码20.41亿，三地产能并进
上半年，公司研发投入约20.41亿元，同比增长36.86%，占营业收入比例约30.51%，远高于科创板上市公司10%~15%的平均水平。在研项目涵盖六大类设备、超20款新设备。值得关注的是，研发投入资本化比重由上年同期的20.72%升至33.74%，资本化研发投入6.89亿元，同比大增122.80%——在行业快速迭代期属正常财务策略，但也需关注后续项目能否转化为量产产品。
产能布局方面，中微正在加速推进"上海临港—广州—成都"三地产能网络：
2026年8月1日
上海临港滴水湖畔总部大楼暨研发中心落成启用，建筑面积约10万平方米。
2026年7月
广州华南总部研发及生产基地一期主体结构封顶，计划2027年投产。
2026年8月
成都研发及生产基地暨西南总部一期主体结构封顶，预计2027年建成投产。
2026年8月19日
公告拟投资35亿元建设中微临港产业化基地（二期），达产后预计年销售收入30亿元。
目前，中微公司整体建筑面积已达60万平方米，预计未来五年左右增至90万平方米，年生产能力将提升至700亿元以上。
风险提示与展望
需要关注的风险点包括：非经常性损益占净利润近六成，不可持续；因收购众硅新增商誉10.60亿元，后续存在减值风险；合同负债27.72亿元，较上年末下降8.92%，或反映在手订单预收款有所回落；应收账款30.58亿元，较上年末增长53.90%，增速显著高于营收增长。
从行业层面看，SEMI预计2026年全球半导体制造设备总销售额将创下1659亿美元历史新高，同比增长23.2%。人工智能对更强大、更高效芯片的需求，以及微观器件从2D平面向3D立体结构演进带来的刻蚀、薄膜沉积设备需求量提升，为中微公司带来强劲增长动力。
综合来看，中微公司2026年H1的核心看点不在300%的表观净利增速，而在于三个实质性变化：一是刻蚀设备在先进制程中的渗透深化（60:1标配、90:1即将登场、7nm逻辑刻蚀年内付运）；二是薄膜设备从验证迈向量产（钨系列获重复订单）；三是平台化战略迈出关键一步（CMP并购完成、四大前道工艺齐备）。董事长尹志尧提出的五年目标——覆盖60%+集成电路高端设备和70%+先进封装设备——如果成功落地，中微的估值逻辑将从"刻蚀龙头"切换为"中国版应用材料"。
扣非净利108.36%的增速，才是真正反映公司经营质地的"含金量"数据。而在AI算力需求爆发、3D化趋势加速、国产替代进程推进的三重驱动下，中微公司作为国内半导体设备龙头的成长逻辑依然坚实。
