近日，3D存算一体芯片企业谦合益邦宣布，其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮。该芯片采用自研三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术，在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成。
该芯片以逻辑层为基底、4层DRAM堆叠其上的“4+1”三维堆叠架构，将计算单元与存储单元在三维空间中深度融合，从根本上突破传统平面架构下计算与存储分离带来的“内存墙”瓶颈。堆叠层数是决定存算一体芯片访存带宽与存储容量上限的关键——层数越多，大规模并行计算与高并发数据流处理所能调用的存储带宽与容量就越充足。但层数每增加一层，层间对准精度、垂直互连一致性、堆叠散热控制等技术挑战也随之倍增，此次4层堆叠的成功突破，标志着三维集成原生计算架构的工程落地推进到全新高度。
谦合益邦成立于2024年1月，由网易孵化，是国内最早专注于3D存算一体、三维集成原生芯片架构和云游戏应用加速的芯片公司。公司定位为从芯片至云服务的全栈AI基础设施提供商，采用定制化的3D DRAM存算一体与Transformer加速技术高效融合，探索可对标传统HBM存储的技术路径，有效缓解大模型在传统架构芯片中遇到的存储墙问题。近期，公司完成超20亿元B轮融资，投资方包括国调基金、中移和创等。
此次芯片成功回片点亮，标志着4层3D DRAM堆叠存算一体芯片从技术验证正式迈入工程落地阶段。
（校对/黄仁贵）
