10月15日，长飞先进于深圳举办主题为“Everest巅峰之上・跨越四年的技术长征”技术发布会，一次性对外披露第四代至第六代平面栅SiC MOSFET芯片、1500V-3300V中高压器件矩阵，同时推出DeepXE™嵌入式功率模块、EZ系列特色功率模块。在车规主驱、AI数据中心两大高景气赛道驱动之下，国产SiC厂商的竞争已经从单纯的器件参数比拼，延伸至可靠性、封装创新、系统解决方案的综合较量，长飞先进的本次发布，正是这一产业趋势的典型样本。
当前SiC MOSFET的应用边界正在快速扩张。新能源汽车800V—1000V高压平台、超快充持续渗透，AI数据中心800V高压直流供电逐步落地，碳化硅器件已经跳出汽车单一赛道，向工业能源、算力基础设施大规模迁移。行业竞争维度也不再局限于比导通电阻Rsp，长期可靠性、短路/雪崩鲁棒性、高温耐受、EMI表现、功率密度，共同构成器件商业化落地的核心门槛。凭借SiC外延、器件设计、晶圆制造到模块封测的全链条能力，长飞先进完成多代平面栅器件迭代，实现从追赶到并跑、部分指标实现领先。
三代平面栅迭代：平衡导通性能、可靠性与系统兼容性
第四代PG4E定位于高可靠平台，核心技术为多级P阱注入，重构体区掺杂分布，强化栅氧屏蔽效应，抑制寄生三极管导通，同步提升器件长时寿命与短路、雪崩抗扰能力。其1200V规格常温Rsp为2.2 mΩ・cm²，175℃高温Rsp达到4.4 mΩ・cm²。该平台完成严苛车规条件3000小时可靠性验证，近雪崩工况下反向偏置电压可达1400V，阈值电压、耐压、导通电阻漂移均控制在车规要求范围内；实测短路耐受时间2.1μs，较竞品提升27%，雪崩能量EAS提升11.2%。
从市场定位看，PG4E并非单纯面向车规，而是成为AI数据中心、工业场景的主力基座。行业观察到，AIDC场景对器件长期可靠性的要求甚至高于车规标准，PG4E系列750V/1200V单管已经进入客户测试及小批量供货阶段。
第五代PG5E瞄准车规主驱市场，重点解决器件开关带来的EMI震荡难题。通过元胞尺寸微缩超15%、沟道、JFET区与体区结构协同优化，常温Rsp降至1.9 mΩ・cm²，175℃下Rsp为3.7 mΩ・cm²，相较前代下降约13.5%，Baliga优值BFOM突破1300 MW/cm²，跻身业界先进水平。
工艺层面引入高能离子注入调控局部掺杂，重塑体二极管载流子分布，反向恢复电流Irrm降低5.7%，软度因子提升27%，有效抑制换流过程电压震荡，降低系统电应力。同一封装条件下，将芯片由PG4E切换至PG5E，模块输出电流可由450A提升至540A，电流能力提升20%。目前PG5E已通过AEC-Q101认证，多款车规方案处于下游Tier1与主机厂测试验证周期。
第六代PG6N面向下一代高功率密度模块需求，针对高发热、超高温工况做系统性优化。依靠元胞密度升级、局部半超结注入工艺、晶圆减薄三大手段，沟道电阻降低20%，散热路径大幅缩短，常温Rsp低至1.7 mΩ・cm²，175℃条件Rsp达到3.2 mΩ・cm²。在终端电场、介质层应力上重新设计，器件可支持200-225℃极端工作温度，适配未来新能源车更高功率密度模块发展方向。
电压规格上，长飞先进完成1500V-3300V中高压产品全覆盖。1500V、1700V面向1000V+汽车主驱，做短路增强设计，BFOM较主流产品分别提升20.1%、27.3%；2300V、3300V瞄准固态变压器等工业高压场景，采用抗界面电荷终端结构，性能较市面主流实现14%以上提升，补齐国产碳化硅中高压器件供给缺口。
脱离内卷，向系统突围
在半导体功率产业，芯片性能只是基础，封装互联才是释放器件潜力的关键。本次发布会，长飞先进同步发布两大模块技术平台，把竞争延伸到系统层面。
面向车规主驱的DeepXE™嵌入式PCB功率模块，采用无空腔AMB内嵌PCB叠构、先进金属化互联、多物理场芯片布局。对比传统功率模块，电流密度提升20%，热阻下降15%，杂散电感压低至0.9nH，体积重量缩减50%，开关损耗降低20%。同一个芯片，更换嵌入式封装，输出能力即可实现明显抬升，直观印证行业共识：芯片指标再好，也需要封装方案把器件性能释放出来。该产品已完成性能摸底，预计明年上半年完成全链路工业化验证。
针对AI数据中心、固态变压器，EZ2C/3C是国内首批采用扩散焊工艺的SiC功率模块。相较传统锡焊方案，节壳热阻降低18%，满载芯片结温下降25℃以上，材料体系支持200℃以上长期工作。EZ3C进一步集成SHB三电平拓扑，简化固态变压器系统架构，为高压算力供电场景提供新选择。
产业思考：应用能力决定长期格局
会后媒体交流环节，长飞先进高管李刚分享了四年发展的核心判断。四年技术长征有两个关键拐点：一是工艺迭代驱动Rsp等核心参数实现追赶；二是跳出单纯对标海外，走向自主定义产品与解决方案。
长飞先进战略运营中心副总裁李刚
站在半导体产业视角，碳化硅行业的竞争正在发生范式切换。过去行业习惯于拿Rsp等静态参数横向对比，但真正决定商业化落地的，是良率、可靠性、鲁棒性、成本控制以及系统应用能力。据披露，5×5mm主流车规芯片die良率可达98%以上，处于国内第一梯队；成本端依靠规模化产能、智能制造、工艺创新，减少贵金属使用，对冲原材料价格波动，保障对车企等价格敏感客户的交付竞争力。
技术路线上，长飞先进坚持平面栅持续迭代，同时提前布局沟槽器件赛道，自2023年启动专利布局，截至2025年10月沟槽相关专利全球排名第三，为下一代更高功率密度产品储备技术底座。
市场策略上采取多赛道并行：工业、消费电子已实现大批量出货；车规芯片、模块完成认证，处于客户测试阶段；AI数据中心单管产品进入供货验证，模块新品等待市场反馈。对于出海，其判断中国碳化硅器件，大概率会先在AI数据中心赛道实现海外突破。
