在中低压MOSFET领域，导通电阻、开关性能与可靠性之间的平衡是衡量产品实力的关键。长晶科技自主研发的第二代高性能 SGT MOSFET（分离栅金属-氧化物半导体场效应管）系列，电压覆盖30V至150V，具备优秀的RSP和FOM性能，以扎实的工艺积累和实测表现，为多样化功率应用场景提供了可靠选择。
对标国际主流平台，覆盖多元应用场景
长晶科技第二代SGT MOSFET系列核心参数对标国际主流供应商S5、S6、S7工艺平台，在多个电压段实现性能超越。产品可广泛应用于服务器、机器人、汽车、电脑、手机、无人机、电动工具、储能、电池管理、工业电源等领域。以30V-150V 电压段为例，其技术能力与国际主流供应商对比如下图所示。
图1 30V-160V SGT技术能力与国际主流供应商对比
工艺创新：超小元胞尺寸，提升可靠性
长晶科技依托超小元胞尺寸（Cell Pitch）技术，同步攻克高深宽比刻蚀工艺难题，大幅降低单位面积导通电阻（RSP），UIS 雪崩耐量与SOA安全工作区等可靠性指标同步提升。在强化性能的同时，第二代SGT MOS还兼顾了器件的雪崩（UIS）能力和安全工作区（SOA）。
图2 小电感雪崩测试波形
实测验证：极端工况与热性能的双重考验
以CJACR95SN04AL为例，小电感能力强化后，性能明显优于国际一流同行。在系统发生原副边直通，电池短路，电机堵转等极端工况时，可显著提升供电系统的可靠性。
图3 高频电机驱动温升图
40V MOS CJACR95SN04AL在400W的高频电机驱动系统的温升比其他同行温升低16℃；30V MOS CJAC1R6SN03AL在80A电池化成系统温升比国内其他同行温升低11℃，均优于国际一流同行。
图4 电池化成系统温升图
封装迭代：提升功率密度与散热表现
封装层面，长晶科技持续进行技术迭代，先后开发出底部倒装（Source Down）、双面散热（DSC）和合封（Co-Packaging）三大技术，有效提升功率密度、优化散热表现。
未来，长晶科技将立足功率器件领域的技术积累，加速向AI 算力供电、智能汽车电驱、工业机器人等前沿领域纵深拓展，持续为客户提供更具竞争力的功率半导体解决方案！
