【编者按】作为半导体行业的年度标杆盛会，第八届IC风云榜立足产业技术迭代与国产替代的关键窗口期。本届榜单全新升级，设置70项重磅大奖，覆盖AI、具身智能、智能汽车等八大核心领域，并新增优化多项特色奖项。评委会由百余家半导体投资联盟单位及500+行业CEO组成，获奖名单将在2027半导体投资年会盛典揭晓，全力挖掘产业标杆、树立行业创新典范。
【候选企业】电波微讯（宁波）通信技术有限公司（简称“电波微讯”）
【候选奖项】年度技术突破奖
在后摩尔时代，AI 算力、6G、低轨卫星通信产业快速演进，传统通信芯片及模组方案面临体积偏大、高频损耗高、温漂可靠性不足、MLCC 供应链波动等一系列产业痛点。玻璃衬底与 TGV 玻璃通孔技术被视作下一代先进封装与系统集成的核心赛道，正从实验室研究加速走向产业化落地。赛道之中，初创企业电波微讯凭借底层技术突破与商业化落地成果，正式参评年度最具成长潜力奖。
电波微讯成立于 2024 年 12 月，是一家专注玻璃基芯片研发与产业化的高科技企业。公司由通信芯片领域资深专家宣凯博士创办，核心团队拥有十余年通信芯片研发、大规模量产及资本市场运作复合经验。成立之初，公司便锚定下一代玻璃基通信芯片与器件前沿方向，主攻玻璃基衬底器件、TGV 通孔工艺、衬底异质集成等关键技术，目标突破传衬底材料性能瓶颈，打通玻璃基芯片从材料、工艺开发到产品验证的完整技术链条，补齐国内新型衬底芯片产业链短板，助力算力与通信芯片产业自主可控。
依托自研GlassRadio™全栈技术平台，电波微讯成为全球首家实现玻璃基射频芯片规模化量产的企业，推出主力产品 dBT5321A /dBT5521A射频芯片模组，开辟射频前端全新技术路线。
底层架构革新：GlassRadio™重构射频集成方案
传统射频前端大量使用分立 SMD 阻容感元器件，高度依赖 MLCC 多层陶瓷电容。电波微讯创新采用玻璃基 TGV 高密度集成方案，以玻璃衬底为基础，结合巨量 TGV 玻璃通孔与多层 RDL 互联技术，将 PA 功率放大器、LNA 低噪声放大器、射频开关、SAW 滤波器全部集成在模组内部，从底层重构射频芯片架构。
dBT5321A 射频芯片模组尺寸仅 2mm×2mm×0.55mm，模组面积仅为同类传统方案 45%，厚度为同类方案 75%，实现射频前端极致小型化、薄型化。性能层面，玻璃衬底介质损耗远低于传统树脂基板，显著降低高频信号衰减；玻璃与硅芯片热膨胀系数匹配度更高，高低温环境下射频性能漂移更小，大幅降低器件失效风险，适配各类高频通信场景。
GlassRadio™为全栈自研技术平台，覆盖芯片设计、TGV 工艺、封装测试到射频算法全链条。目前公司已布局 26 项核心发明专利，包含多项 PCT 国际专利，创新实现射频 “精准建模”、“以算代调”，大幅降低传统射频产品人工调试成本。技术方案精简大量贴片无源器件，减少供应商数量，有效规避 MLCC 产能紧张、价格波动风险，为持续规模化量产与商业化奠定坚实基础。
多维竞争壁垒：兼顾性能、可靠性与量产能力
对比传统有机基板、分立器件射频方案，电波微讯在五大维度形成差异化壁垒，彰显强劲成长潜力。
小型化集成优势：大幅缩减 PCB 占用面积，解决传统射频前端器件繁多的痛点，适配微型图传、轻量化穿戴、小型工业终端等空间受限场景。
高频射频性能优势：低介质损耗带来更优高频特性，谐波抑制与功率表现突出，天然适配 5G 高功率终端 HPUE、6G、低轨卫星通信射频链路。
高可靠性优势：玻璃基板热稳定性优异，温漂控制能力更强，在振动、高低温等严苛工况下稳定性优于传统有机基板方案，满足工业监控、车载、星载等严苛应用环境。
量产商业化优势：技术成果并非实验室样品，已经完成规模化量产。一站式模组交付模式，减少终端客户外围无源器件配套需求，缩短终端产品开发周期，加速客户产品上市。
国产自主可控优势：射频前端长期是通信芯片领域薄弱环节，该方案绕开传统无源器件瓶颈，为国产无线通信终端射频方案提供全新技术路线，助力产业链自主可控。
广阔增长赛道：立足当下应用，布局下一代通信市场
商业化落地方面，当前 dBT5321A 模组主力落地无线图传、工业远程监控市场；中长期，电波微讯将持续拓展 5G/6G 终端、低轨卫星通信、智能穿戴、车载射频、小型移动通信终端等增量市场。
长远布局上，电波微讯不止聚焦玻璃基射频前端芯片，同时面向数据中心AI算力芯片中介层、高密度玻璃被动器件、短距高带宽光通信等方向开展高性能芯片研发。公司致力于打造国内领先的玻璃基芯片与被动器件创新平台，持续推动玻璃基芯片国产化落地。
作为赛道新锐企业，电波微讯凭借底层原创技术、率先量产的里程碑成果、清晰的商业化路径与广阔市场空间，展现出硬核科创企业的成长动能。本次参评 “年度最具成长潜力奖”，既是行业对其技术创新成果的一次检验，也期待以参评为契机，持续推动玻璃基芯片产业生态共建，助力我国新型衬底芯片产业链高质量发展。
2027半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2026年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度技术突破奖】
面向在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资的企业；和已形成较强的细分领域竞争优势，发展速度较快的企业。奖项旨在表彰这些具有成长潜力的行业新兴企业，助力投资人和项目方更好地洞悉市场环境和行业趋势，推进企业跨越式发展。
【报名条件】
1、在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资；或已形成较强的细分领域竞争优势，发展迅速的企业；
2、2025年主营业务收入为500万——1亿元的创业企业。
【评选标准】
1、技术产品壁垒（40%）深耕半导体细分赛道，实现核心技术、产品创新突破，拥有独家技术优势。
2、市场竞争增速（35%）细分领域竞争优势突出，业务扩张速度快，2025年主营收入500万-1亿元。
3、资本发展势能（25%）获得知名投资机构注资，商业模式成熟，具备快速规模化、跨越式发展条件。
