10月31日，“AI向实 传感赋智”——2026智能传感器（无锡）创新发展大会在无锡高新区举行。中国科学院院士孙胜利、中国工程院院士丁荣军、江苏省工业和信息化厅副厅长池宇等出席大会，智能传感器领域专家、企业家代表、高校及相关平台机构负责人齐聚一堂，共探智能传感前沿趋势，共谋具身智能时代产业高质量发展新篇。美新半导体作为无锡高新区智能传感器代表企业之一受邀参会。
智能传感器是物联网“泛在感知—先进通信—自主决策”链条的起点，是数字经济、人工智能与具身智能发展的核心底座。作为全国首个国家传感网创新示范区、“感知中国”发源地，无锡拥有国内完整的MEMS微纳制造与智能感知产业集群，正锚定“物联网之都”建设目标，加快从“万物互联”迈向“万物智联”。
会上，美新半导体与华景传感、北微传感、灵掌机器人等12家无锡高新区智能传感器代表企业集中发布最新创新成果，交出从“跟跑”到“并跑领跑”的亮眼答卷。美新半导体此次发布的三款产品，横跨MEMS惯性传感、角度传感与智能驱动三大方向，串联起“感知—测量—执行”的完整链路。
其中，公司发布的6轴IMU芯片，凝聚了美新半导体在惯性传感领域的多年积淀。该芯片集成3轴陀螺仪、3轴加速度计及专用ASIC，采用A+G双腔气压控制的独特设计，历经五年研发，以短于同行的开发周期战胜工艺挑战与专利壁垒。其陀螺仪灵敏度误差仅1%、零偏低至3dps、温度灵敏度系数0.02%/℃，关键性能与世界TOP3产品处于同一维度；先后通过一线客户6万次跌落测试、20kg量级冲击等严苛验证并保持零失效，机械可靠性居消费级IMU芯片世界领先水平，已成为IMU芯片国产化的先锋和主力。
如果说IMU让智能设备“感知姿态”，同步发布的AMR高精度编码器芯片则瞄准了机器人关节的角度测量。依托多年AMR磁传感器积累与自有AMR晶圆厂优势，美新半导体打破行业对光编码器的依赖，率先卡位磁编码器替代光编码器的产业趋势。该芯片线性误差≤0.07°、分辨率高达21bit、最高可测12万RPM转速，抗干扰能力突出，直击光编码器最大痛点；3×3mm QFN小尺寸封装可嵌入机器人灵巧手等狭小空间，内嵌ASIC自校准算法，支持SPI、PWM、UVW、ABZ多种接口。年内美新半导体3温标定产能将达1200万片/年，预计可承接约40%的光编码器替代市场。
此外，美新半导体进一步将产品覆盖延伸至执行层。eOIS光学防抖驱动器芯片MSD4200WA，正是美新半导体突破传感器研发“舒适区”、进军智能驱动芯片领域的最新成果。该芯片防抖压制比达40dB，PID控制快速稳定，防抖精度可达1μm，输出内阻低至1.8Ω，待机功耗仅150μA，支持适配高端平台的I3C接口，防抖等级达到CIPA 5级以上，可从容应对演唱会暗光拍摄等严苛场景，各项指标达到或超过全球同类第一梯队产品水准。
从惯性传感到角度感知，再到智能驱动，此次集中发布的三款新品，是美新半导体多年MEMS技术积淀与自有晶圆厂制造能力的集中体现。以6轴IMU扛起国产化先锋大旗，以AMR高精度编码器卡位磁编码替代光编码的产业趋势，以eOIS光学防抖驱动器完成从传感芯片向智能驱动芯片的关键拓展，三款产品串联起“感知—测量—执行”的完整链路，可广泛服务于智能手机、可穿戴设备、机器人等AIoT终端。凭借持续的技术迭代与产品创新，美新正以不断加快的研发节奏，回应AI与具身智能时代对“感知力”的更高要求。
依托无锡“物联网之都”的产业沃土和国家传感网创新示范区的集群优势，美新半导体将以此次大会为新起点，加快新品量产与市场落地，持续深化与产业链上下游伙伴的协同创新，携手攻关关键核心技术，助力智能传感器国产化突破。面向“万物智联”时代，美新半导体将扎根无锡、辐射全国，为无锡打造全国智能传感研发制造高地、建设世界级物联网先进制造业集群，注入源源不断的“芯”动能。
