11月12日，第二十三届中国国际半导体博览会（IC China 2026）在北京开幕。存储厂商长鑫科技集中展出面向AI时代数据中心、端侧AI、智能汽车等三大核心场景的RDIMM、LPDDR6、车规级LPDDR5X等内存产品。
当天，长鑫科技副总裁骆晓东在IC China 2026的论坛上指出，当前存储产业的竞争逻辑已经发生根本性转变，从过去单一的参数比拼，转向了全场景的产品布局能力竞争。基于对应用系统的深度理解，打造适配不同层级、不同场景的差异化存储方案，正成为重塑存储市场竞争格局的核心变量，也为行业参与者打开了换道超车的新窗口。
图/长鑫科技副总裁骆晓东
从参数比拼到“分层时代”，AI推理价值重构
“受全球算力需求激增影响，各市场的增长逻辑已明显分化。”骆晓东在《算力分层时代，探索DRAM产品新边界》主旨演讲中提出，服务器优先满足AI大模型、智算中心等高价值需求，直接带动了高端存储和高性能芯片需求的持续走高；汽车市场受智能化驱动，预计到2030年车载存储和车规芯片的需求年复合增速约30%；手机、PC 等消费电子市场AI功能渗透加快，但仍保持明显的消费周期波动特性。
应用分层方面，AI大模型不同阶段对内存需求不同。Decode推理逐字生成回答，瓶颈在内存带宽；Prefill一次性读入并理解输入，瓶颈转向算力；大参数多卡训练则受内存容量和互联能力制约。没有一种内存产品能在所有方向同时最优，供给端必然走向产品分化。
在长鑫产品矩阵中，服务器RDIMM被骆晓东称为“算力数据传输的第一通道”。准确地说，AI推理正在重构服务器内存价值，RDIMM从系统主内存的“配套件”升级为大模型长上下文的“核心缓冲区”。
要知道，过去对话式AI一轮结束即可清理或转存KV Cache；Agentic AI则是高频长程自回归，用户给出任务后，Agent自主展开思考链、调用搜索、编写运行代码、报错后自我纠错、继续调用工具，单个任务可能涉及数十轮乃至上百轮循环。Gartner 2026年3月研究显示，Agentic工作流每个任务消耗的Token是标准聊天机器人的5至30倍，一次用户请求可能触发10至20次顺序模型调用。内存占用随任务运行持续增长，不再是“用完即释放”。
这显然改变了服务器配置逻辑。过去以训练为主，GPU算力高度饱和，CPU与GPU配比常为1:4甚至1:8；在Agentic AI推理与端到端业务流中，为应对复杂调度，业界正提高CPU配比，走向1:2甚至1:1。作为直连CPU的系统主内存，RDIMM单机插槽数量与大容量条装配率随之倍增。
长上下文推理更凸显这一趋势。单人短对话KV Cache只有几十兆；上下文拉长到128K甚至1M Token，或千万人并发时，一个活跃请求的KV Cache可达几GB到十几GB，几十个并发长会话就能撑爆整台服务器GPU HBM。工业界采用分级卸载：HBM只保留当前生成Token的极少数活跃上下文；用户长时间未访问的数据（冷KV Cache）会被“卸载”到数百GB乃至更大量的RDIMM主内存中，便于会话重新激活时快速拉回；轮到该用户时，CPU下发指令，使上下文数据由RDIMM搬运到HBM中以用于运算。RDIMM因此成为大模型长上下文的“核心缓冲区”。
目前，长鑫RDIMM产品线同步推进：DDR5颗粒完成24Gb到32Gb迭代；RDIMM模组实现32GB到128GB主流容量、5600Mbps到8000Mbps速率档位全覆盖；MRDIMM覆盖128GB和192GB，速率最高12800Mbps，切中服务器和数据中心对大容量、高速率的需求。
全球主流服务器内存进入稳定升容周期，低容量占比收窄，中高容量渗透率提升，RDIMM市场价值重心持续向高容量段转移。这一趋势背后，正是AI推理把内存从“容量配置项”推成了“性能关键项”。
图/长鑫展台
端侧/车规试能力凸显，场景适配见功夫
端侧AI是长鑫此次展出的另一条主线。今年8月，长鑫正式推出LPDDR6，这是业内最新一代LPDDR产品，并已在国内旗舰手机小米18 Fold上实现全球首发量产。
该产品拥有16Gb容量，最高速率达12800Mbps，相比上一代LPDDR5X带宽提升60%，功耗降低20%。骆晓东表示，长鑫LPDDR6凭借原生速率更高和双子架构设计，显著提升了“带宽容量比”这一关键指标，这一特性使其未来能够拓展至智能驾驶、边缘计算以及对存储能效要求较高的服务器场景。
在LPDDR5X产品线上，长鑫2026年基于第五代技术平台（G5）推出两款新LPDDR5X产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，可适配中高端智能手机、便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。长鑫LPDDR5X已落地全球首款AI智能体手机努比亚NaviX Ultra，赋能“听得懂、能干活、记得住、够安全”的端侧AI交互体验。
车规场景的看点更集中在技术门槛上。众所周知，车规级内存是行业公认的高壁垒赛道，与消费级方案存在核心差异。长鑫此次展出的车规级LPDDR5X，将高速传输与大容量结合——以带宽支撑感知数据的及时缓存与调用，为处理器感知融合和算法计算提供数据底座；以充足运行空间承载座舱程序、界面与工作数据。
为回应车载平台集成设计需求，长鑫带来两款封装方案：一款采用315焊球封装，通过优化I/O布局实现低寄生参数，让信号传输更稳、干扰更小，同时把封装做得更小，兼顾信号完整性与电源效率；另一款采用441焊球封装，配置4个独立通道，总数据位宽64bit，多通道并行架构支持高速并行传输，可承载更大的数据交互吞吐量，满足车载域控高带宽需求。两款方案在连接布局与接口配置上形成互补，让客户能够结合平台特点灵活选型。
可靠性方面，长鑫车规级LPDDR5X内存产品已通过AEC-Q100 Grade 2等权威认证，获得ISO 26262 ASIL D产品功能安全认证，相关管理体系涵盖ISO 9001、IATF 16949及QC 080000。目前长鑫车载内存产品已从LPDDR4X稳步演进至LPDDR5X，并加快LPDDR6在车载场景的应用创新与拓展。
端侧与车规不是简单的延伸，而是分层能力的“试金石”。时至今日，竞争正在从“有没有产品”转向“能不能按场景适配”，功耗、封装、可靠性和平台分化……每一项都在考验厂商对真实应用的理解深度。
架构破局凭技术底牌，研发加码接场景需求
解决了“市场需要什么”的命题后，长鑫又如何作答呢？关键在技术侧。
长鑫科技总裁曹堪宇曾在今年10月的一次公开活动中指出，长鑫自成立以来即启动4F²研究和专利布局，公开专利族超300件，数量领先海内外厂商，并于2021年发布中国大陆首篇4F²架构相关论文。
4F² 架构最核心的特色是长鑫自研 VSG（Vertical Surrounding Gate）垂直环绕栅极晶体管。它采用垂直包围沟道结构，实现更强栅控，解决DRAM存储单元漏电与短沟道效应痛点；竖立晶体管助力面积微缩，相对主流6F²架构，同面积存储密度可提升30%—50%。配套混合键合技术自2019年起独立自主研发，公开专利数量进入全球前十；2025年在IEDM发表论文，首次在12英寸晶圆平台完成DRAM与CMOS晶圆级键合实验验证。
技术路线图同步推进。长鑫在第三季度业绩交流会中表示，在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破基础上，第六代工艺技术平台G6已完成工程样片验证，这意味着G5平台量产的同时，下一代平台工程验证已经落位。长鑫将4F²架构首代产品定为DDR5 RDIMM，并预计2026年年底推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM。服务器级RDIMM必须支持7×24小时不间断运行、经受带电热插拔电压冲击，与不同厂商、不同代际CPU和主板完成数百项严苛兼容性测试，并确保高速传输时信号在较长模组走线上不衰减、不误码。新架构还将带动设计、工艺、设备、材料等多环节协同创新，推动国产存储产业链变革。
高增长必须由高研发投入支撑。2026年第三季度，长鑫科技实现营业收入约1187.14亿元，同比增长613.18%；实现归母净利润约544.35亿元。前三季度，实现营业收入2690亿元，同比增长738%；归属于母公司股东的净利润1320亿元。研发投入方面，前三季度累计研发投入110.71亿元，同比增长73.03%。
值得一提的是，本次展会，长鑫展出的已量产的第五代技术平台（G5），依托四重曝光工艺，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，比肩全球顶尖水平的DRAM量产制程，每片晶圆产出裸片数量较上一代平台提升至少50%，大幅提升产品竞争力与经济效益。
LPDDR6首发、G5量产、4F²进展与G6工程样片验证背后，是长鑫研发投入和产业链协同的持续加码。没有研发底座，分层产品布局难以持续；有了技术底牌，需求变化才能转化为增量空间。
写在最后
集微网观察，长鑫在IC China 2026上展示的不只是产品矩阵，而是一条更清晰的竞争逻辑。当服务器、汽车、手机的需求曲线不再同步，当AI推理的Decode、Prefill、多卡训练对带宽、算力、容量提出不同约束，存储厂商必须从“一款产品打天下”转向“全场景产品布局”。而4F²、VSG、混合键合、G5/G6平台，则是长鑫的底层技术底牌，它们将共同构成下一阶段竞争的“胜负手”。
