致力于低耐压产品，罗姆公布功率元件用GaN类HEMT的开发情况

　　罗姆公布了面向功率元件用途的GaN类HEMT的开发情况。该公司以前一直致力于开发耐压600V的产品，“曾推出过耐压600V以上的SiC制功率元件，今后将致力于开发100V以下的低耐压产品”（解说员）。

　　在会场上，罗姆让Si制MOSFET产品和新开发产品进入工作状态，对两者的开关特性进行了比较。展示了与MOSFET相比，新开发产品可急峻导通/ 截止的情形。演示中，开发产品的开关频率为2.5MHz，输出电流为15A。在相同开关频率下，“具有可流过25A的实力”（解说员）。将来以实现 10MHz以上的开关为目标。

　　另外，目前阈值电压为-3.5V，可实现不施加栅极电压也会导通的“常开动作”。今后还将力争实现常关动作。 （记者：根津 祯）