4月16日，普冉股份发布业绩报告称，2023年度，公司实现营业收入为11.27亿元，同比增长21.87%；实现归属于上市公司股东的净利润为-4827.43万元，同比下降158.06%。
普冉股份称，2023 年，半导体设计行业尚处于低谷周期。同时，全球经济总量增速放缓，消费动力不足，消 费电子产品等的出货量缩减等影响传导至上游厂商，经营状况存在一定的压力和挑战。
不过，公司持续重视并始终保持高水平的研发投入，推进核心技术自主研发，提升符合市场需求的创 新型产品。2023 年，公司投入研发费用 19,129.33 万元，占营业收入的比例达到 16.97%，较上年同 期增长 28.74%。通过持续增加的研发投入，公司整体研发能力快速提升，原有产品迭代并实施性能 优化，新产品按计划实现量产，产品竞争力和覆盖面进一步增强。截至报告期末，公司研发及技术 人员较上年同期增加 11.17%，公司新申请专利及获得专利数持续增长。
在Flash 产品方面，SONOS 工艺 40nm 节点下 Flash 全系列产品竞争力持续提升、及晶圆产出率创造新高。第三 代支持 1.1V 的超低电压、 超低功耗和双沿数据传输带宽的 Flash 产品 GS N 系列发布，支持主控 SoC 芯片匹配新一代标准电压，在简化系统电源设计的同时，达到行业领先的功率消耗，为无线、 音频、图像等多模块 SoC 智能主控芯片提供必要性存储辅助。
公司基于 ETOX 工艺平台并结合既有的低功耗设计，形成了 50nm 及 55nm 工艺下中大容量 的完整布局、适用于不同电压的 ETOX NOR Flash 完整产品线，应用于可穿戴设备、安防、工控等 领域并形成规模量产出货，并将在未来成为公司成长的主要动力之一。
EEPROM 产品方面，车载系列 EEPROM 产品获得了 AEC-Q100 Grade1 车规级高可靠性认证的国际权威第三方认 证证书，并继续向其他国内外客户拓展。公司推出创新的 P24C 系列高可靠 EEPROM 产品，基于 95nm 及以下工艺，具备低功耗、超 宽压覆盖、高可靠等特性，满足擦写寿命 1000 万次，数据保存 100 年的高可靠性要求，产品性能达 到业界领先水平，可用于工业三表及其他高可靠性产品领域。报告期内，行业领先的新一代 1.2V EEPROM 实现大批量产，支持超低电压和高速模式。
另外，2023 年，普冉股份陆续推出了 ARM M0+和 ARM M4 内核的 12 大系列超过 100 款 MCU 芯片产 品，覆盖55nm、40nm 工艺制程，产品支持 24MHz~144MHz 主频、24K~384KByte Flash 存储容量、 USB/CAN/SDIO 等主流接口，以及 20~100 IO 的多种封装形式，形成宽电压、低功耗、支持 105℃ 及 125℃高温等高质量、高可靠性、高性价比通用产品矩阵，完成从入门级到主流 MCU 的多方位布 局，应用于家电、监控、通讯传输、BMS 监测保护、电机驱动、医疗及个人护理等领域，客户均反馈了开发效率显著提升、软件可维护性和可靠性改善、升级便利可控、综合开发成本有效降低等实 质性优势。
在模拟产品领域，普冉股份内置非易失存储器的 PE 系列音圈马达驱动芯片（二 合一)多颗产品大批量出货,支持下一代主控平台的 1.2V PD 系列音圈马达驱动芯片产品也已量产出 货。同时OIS 产品线布局逐步完善，能够支持传统 OIS 方案与新兴 OIS 方案，与电 机厂充分配合，满足以手机应用为主的核心客户需求，为未来的快速增长做好了准备。另外，公司推出了用于 BLDC 电机领域与微控制器产品合封的驱动芯片，将帮助 MCU 产品 更好的服务风机和水泵类客户需求。
