华虹宏力“闪存存储器及其制造方法、操作方法”专利获授权

天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“闪存存储器及其制造方法、操作方法”的专利，授权公告号为CN113903789B，授权公告日为2024年5月28日，申请日为2021年9月29日。

本发明提供一种闪存存储器及其制造方法、操作方法，在所述闪存存储器中，字线与第一栅极结构和第二栅极结构之间仅采用第一侧墙层进行隔离，由此，可缩小所述闪存存储器的尺寸，并提高第一浮栅层与第一控制栅层以及第二浮栅层与第二控制栅层之间的耦合效率，从而提高编程效率。此外，在所述闪存存储器的操作方法中，通过对闪存存储器的第一控制栅施加第一电压、对阱区施加第二电压以及对第二控制栅施加零电压或使所述第二控制栅层空置，所述第一浮栅层中的电子可遂穿至所述阱区中，从而实现擦除所述第一浮栅层中的电子，即通过第一浮栅层与阱之间的FN遂穿效应进行擦除操作。