传三星计划Q3对DRAM、NAND涨价15%~20%，现已通报客户

6月26日，财联社等多家媒体报道称，三星计划于第三季度把动态随机存储器（DRAM）、NAND的价格上调15%~20%。市场消息同时称，证实三星电子近期已向戴尔、惠普等客户通报了这一涨价计划。

事实上，此前已有市场传闻称，伴随“6·18”促销活动结束，三星将把SSD涨价15%、DDR4涨价10%、DDR5涨价15%，eMMC也会跟涨，但涨幅尚未确认。

产能利用率方面，近日存储芯片产业界消息显示，随着业界大力投资高带宽存储（HBM）等DRAM，通用型DRAM预计将出现供应短缺。三星和SK海力士的通用型DRAM芯片产能利用率在80%~90%之间，自2024年年初以来，通用型DRAM产能仅提高约10%。

另外，随着人工智能（AI）普及，企业级固态硬盘（eSSD）需求激增，促使三星、SK海力士等制造商在2024年第二季度满负荷运行NAND生产线，此外，由于市场条件改善，铠侠于6月结束减产，使得NAND产能利用率恢复至100%。

对三星来说，作为全球最大的芯片制造商之一，过去几年受消费电子市场低迷影响，公司存储芯片业务损失惨重。不过从2023年下半年开始，受减产和需求复苏的双重影响，存储价格的上涨趋势于该年底从DRAM内存开始显现，随后逐步扩展到NAND闪存。今年1月，三星的存储产品线出现较为明显的好转趋势。