荣膺2024“芯力量”最具投资价值奖！功顶半导体高端IGBT突破国产化壁垒

6月28日-29日，以“跨越边界 新质未来”为主题的2024第八届集微半导体大会在厦门国际会议中心酒店隆重举办。29日上午的集微半导体大会主论坛上，2024年第六届“芯力量”项目评选大赛的颁奖仪式举行。

第六届“芯力量”项目评选大赛自2023年6月启动招募以来，获得了诸多国内创新项目及投资机构的关注。本届芯力量大赛共计举办初赛 20 场，其中 14 场线上路演，并走入深圳、江阴、苏州、泉州、海门、合肥，举办了线下路演。参加初赛项目超 140 个，100 多家顶尖投资机构参与初赛评选，最终 13 个项目突出重围，进入决赛。

作为本年度“芯力量”大赛的佼佼者之一，上海功顶半导体有限公司（下称“功顶半导体”）凭硬核技术和前沿高端产品脱颖而出，得到国内顶级投资人团队一致认可，荣膺2024“芯力量”最具投资价值奖！

值得一提的是，本次大会同期举办“集微半导体展”，旨在为集成电路（IC）产业发展成果、创新产品及技术提供一个展示的舞台。功顶半导体携650/750/1000/1200/1700V、15-300A系列高端IGBT芯片亮相“集微半导体展”，吸引了诸多参展人员驻足。 

功顶半导体成立于2023年，着力开发高端IGBT芯片，IGBT产品线涵盖650/750/1000/1200/1700V等多个系列，重点面向光伏储能、新能源汽车以及工控等市场。

根据Omdia统计，2022年全球功率半导体市场规模达481亿美元，预计至2024年将增长至522亿美元，复合年均增长率约为5.46%，增长平稳。中国作为全球最大的功率半导体消费国，贡献了约40%的功率半导体市场，预计2024年中国功率半导体市场规模将达200亿美元（约合1450亿元）以上。但截止到2023年末，国内功率半导体国产化率不足35%，尤其是IGBT国产化率低，本土替代空间巨大。 

功顶半导体则是针对IGBT、SGT MOSFET等产品进行深入研究，致力实现国产替代。目前，功顶半导体已高效研发完成并推出20余款IGBT芯片，实现交付客户百万颗量级，即将进入下一个大规模放量阶段。

创新产品成功推出的背后离不开一支技术实力雄厚的团队。据了解，功顶半导体核心团队来自华虹、先进（积塔）、Diodes、三安集成、通富、Microsemi、扬杰等业内头部企业，拥有平均20年左右各类功率器件设计、工艺研发和市场销售经验。技术带头人是国内头部FAB厂最早一批从事并长期深耕IGBT工艺平台和器件开发的核心研发人员，完整经历了从第1代IGBT到最前沿第7代微沟槽场的IGBT7工艺平台的开发和大规模量产。

功顶半导体是国内为数不多的深度掌握第七代大电流IGBT全工艺流程和关键工艺菜单的芯片设计公司，并把这些技能充分应用在IGBT器件结构设计和版图设计优化中，大幅缩短了芯片研发迭代周期，实现了受头部客户认可的产品差异化竞争力。值得关注的是，功顶半导体750V新能源车主驱逆变用IGBT7产品，通过了台架测试并已上车路试。

在关注高端IGBT产品之外，功顶半导体还深度参与IGBT全产业链，在生产制造、应用、封装测试等环节均有布局：在晶圆代工厂流片的IGBT采用差异化自主工艺流程与菜单，实现了芯片的差异化竞争力；与新兴晶圆代工厂联合开发下一代微沟槽IGBT工艺平台，前瞻性布局下一代IGBT芯片产品；与头部模块厂和电控厂联合定义IGBT7应用和封装测试方案，从立项伊始进行芯片设计优化。从而优化资源配置、提升运营效率、减少中间环节、降低成本，同时增强抗风险能力。

对于公司未来产品规划，功顶半导体总经理蔡斌君对集微网表示：“基于核心团队深厚的功率器件全工艺流程能力，功顶半导体将持续为头部客户量身打造具备差异化竞争力的IGBT系列化产品。公司正在与业内头部12英寸晶圆代工厂进行下一代微沟槽IGBT8工艺平台的联合开发，持续推动公司IGBT产品往更高电流密度、更低开关损耗、更强鲁棒性方向迭代升级。”

此外，公司还积极布局以GaN和SiC为代表的第三代半导体功率器件，预计明年将实现硅基和宽禁带功率器件的组合供应。

（校对/孙乐）