1、工人因辐射受伤，三星电子遭韩国监管机构罚款
2、华虹宏力“半导体器件的形成方法”专利公布
3、芯海电子“模数转换器、芯片、模数转换校准方法及电子设备”专利公布
4、积塔半导体“应用于湿刻清洗机台的温度控制系统及方法”专利公布
5、芯视元“图像显示方法、装置、电子设备及存储介质”专利公布
1、工人因辐射受伤，三星电子遭韩国监管机构罚款
韩国监管机构发现，三星电子违反了核安全规定，导致半导体工厂的工人受到辐射。
韩国核安全与安保委员会周四在一份声明中表示，根据调查结果，该机构批准了最高1050万韩元（7900 美元）的行政处罚。一位官员表示，这家韩国最大的公司可能因另外两项违规行为面临进一步处罚。
5月，三星位于首尔以南约40公里（25英里）的器兴工厂的两名工人在对分析硅片的设备进行维护时，暴露在远高于年度限值的辐射水平下。两人被送往医院。
声明称，由于三星辐射安全团队的疏忽，设备门打开时自动关闭辐射的安全装置没有启动。
三星表示将配合调查并为受影响的工人提供支持。该公司还表示将尽最大努力防止进一步发生事故。
2、华虹宏力“半导体器件的形成方法”专利公布
天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“半导体器件的形成方法”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118610154A。
本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：在衬底的表面形成图案化的第一TEOS层作为硬掩膜层；使用硬掩膜层刻蚀衬底，以形成深沟槽；在图案化的第一TEOS层的表面和深沟槽的内壁上形成第二TEOS层；向深沟槽底部的衬底内注入离子，以形成沟道停止层；去除图案化的第一TEOS层和第二TEOS层；在深沟槽的内壁和衬底的表面形成第三TEOS层，深沟槽内壁的第三TEOS层和衬底表面的第三TEOS层的厚度相同；第三TEOS层反应形成隔离氧化层，隔离氧化层的表面平整；向深沟槽内填充多晶硅，多晶硅同时覆盖隔离氧化层的表面，研磨多晶硅，以在深沟槽内形成栅极。本发明减少了多晶硅的残留。
3、芯海电子“模数转换器、芯片、模数转换校准方法及电子设备”专利公布
天眼查显示，合肥市芯海电子科技有限公司“模数转换器、芯片、模数转换校准方法及电子设备”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118611671A。
本申请提供本申请实施例提供一种模数转换器、芯片、模数转换校准方法及电子设备，包括：第一级模数转换电路；第二级模数转换电路，与第一级模数转换电路连接，第一级模数转换电路、第二级模数转换电路被配置为共同对输入信号进行采样以及模数转换，得到初始模数转换结果；第二级模数转换电路还被配置为对第一级模数转换电路的失配误差电压进行采样和量化，得到第一级模数转换电路的失配误差码值；误差回补模块，与第二级模数转换电路连接，被配置为根据失配误差码值对初始模数转换结果进行回补，得到最终模数转换结果。本申请实施例提供的模数转换器，可以提高模数转换器的性能，并且不需要增加额外的校准量化电路。
4、积塔半导体“应用于湿刻清洗机台的温度控制系统及方法”专利公布
天眼查显示，上海积塔半导体有限公司“应用于湿刻清洗机台的温度控制系统及方法”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118605646A。
本申请提供本申请涉及一种应用于湿刻清洗机台的温度控制系统及方法。湿刻清洗机台包括若干个功能槽，温度控制系统包括：与各功能槽分别热交换连接的电控温装置和化学反应控温装置，以及与电控温装置和化学反应控温装置连接的控制装置；其中，电控温装置用于：进行电能和热能之间的转换；化学反应控温装置用于：进行化学能和热能之间的转换；控制装置用于：确定各功能槽的工艺温度；根据所述工艺温度，将各功能槽划分为多个温度控制组；对每个温度控制组设置温度控制菜单；根据温度控制菜单，分别控制电控温装置及化学反应控温装置对温度控制组中的各功能槽进行联合控温。所述温度控制系统可以避免功能槽出现温度的大范围异常波动。
5、芯视元“图像显示方法、装置、电子设备及存储介质”专利公布
天眼查显示，南京芯视元电子有限公司“图像显示方法、装置、电子设备及存储介质”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118609494A。
本申请提供一种图像显示方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：确定源图像的图像分辨率与显示屏幕的屏幕分辨率的匹配信息；若匹配信息指示图像分辨率小于屏幕分辨率，则根据图像分辨率与屏幕分辨率确定像素映射信息以及灰阶映射信息，并根据像素映射信息以及灰阶映射信息在显示屏幕上进行图像显示；若匹配信息指示图像分辨率等于屏幕分辨率，则根据源图像的灰阶信息在显示屏幕上进行图像显示。可以满足不同分辨率的显示，从而使得显示装置适用多种使用场景，同时能够降低显示装置的帧率和功耗，另外在降低帧率的同时保证显示屏幕不出现闪烁现象。
