天眼查显示，京东方科技集团股份有限公司近日取得一项名为“薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置”的专利，授权公告号为CN113748521B，授权公告日为2024年9月13日，申请日为2020年3月27日。
一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、有源层、离子化非晶硅层、源极和漏极；所述栅绝缘层覆盖于所述栅极上；所述有源层设置于所述栅绝缘层远离所述栅极一侧；所述离子化非晶硅层设置于所述有源层远离所述栅极一侧，所述离子化非晶硅层与所述栅绝缘层接触；所述源极和所述漏极设置于所述离子化非晶硅层远离所述栅绝缘层一侧，所述源极和所述漏极通过所述离子化非晶硅层与所述有源层耦接。
