总投资超200亿元,长飞先进武汉基地明年5月提前量产通线

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据中国光谷消息,长飞先进武汉基地相关负责人介绍,该项目11月起设备就能进驻厂房,明年年初开始调试,预计5月可以量产通线,随后将开启良率提升和产能爬坡。

长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产,总投资预计超过200亿元,其中项目一期总投资80亿元,规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。

(长飞先进武汉基地效果图,来源:中国光谷)

2023年8月25日,长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户光谷。2023年9月1日正式动工。

今年6月18日,随着晶圆制造厂房最后一斗混凝土完成浇筑,年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构正式封顶。

据悉,按照原计划,该项目将于2025年1月设备搬入,2025年7月量产通线,2026年年底达到满产。目前,该项目进度提前了2个月。

长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区,由长飞先进半导体(武汉)有限公司出资建设。该项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产,应用范围可覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域。

中国光谷消息指出,去年开始,长飞先进在武汉招聘了数百名人才,他们目前在长飞先进芜湖基地的碳化硅产线上积累工作经验。随着生产设备搬入,部分产业人才将分批回到武汉,参与武汉基地设备调试、量产通线工作。


责编: 赵碧莹
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