【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】深圳市至信微电子有限公司（以下简称：至信微电子）
【候选奖项】年度优秀创新产品奖
【候选产品】SMC190SE7N120MBH1(1200V 7mΩ)
全球碳化硅（SiC）产业正迎来前所未有的发展机遇。作为新一代功率半导体材料，碳化硅凭借其出色的耐高温、高电压、低损耗等特性，在新能源汽车、光伏、工业控制等关键领域展现出巨大的应用潜力。
至信微电子，成立于2021年，由国内功率半导体领域的知名专家张爱忠创立，汇聚了一支来自华润微、意法半导体等顶尖半导体企业的资深精英构成的团队。这支团队不仅拥有雄厚的产业资源和深厚的行业背景，更以卓越的创新能力和领先的设计制造技术，成为功率半导体领域的一股强劲力量。
至信微电子紧跟时代潮流，积极布局碳化硅产业，致力于开发出更多高性能、高可靠性的碳化硅功率器件，以满足市场日益增长的需求。
至信微电子聚焦开发顶级的第三代半导体功率器件，以其行业领先的设计与制造技术为基石。推出的碳化硅MOSFET产品不仅良率超过90%，技术性能卓越，更是在国内率先研发出1200V/7mΩ、750V/5mΩ等行业领先的SiC芯片，这些产品在新能源汽车、光伏、工业等关键领域得到了广泛应用和认可。
此次，至信微电子凭借其明星产品——碳化硅MOSFET芯片SMC190SE7N120MBH1（1200V 7mΩ）竞逐IC风云榜年度优秀创新产品奖，并成为候选企业。
目前，这款芯片已顺利实现量产，并成功进入10家Tier 1供应商体系，被应用于10款车型的前装系统，累计供应总量已超过10万颗。
这款1200V/7mΩ SiC MOSFET的应用场景广泛，涵盖了车规级和工业规级的多个关键领域，例如交换机供电、可再生能源、电机驱动、高电压DC/DC转换器等。
至信微电子推出这款1200V/7mΩ SiC MOSFET，采用平面工艺制造，晶圆良率超过80%，导通电阻Rds(on)仅为7mΩ，单die支持超过250A的超大电流，单芯片系统输出功率达到30kW，标称电压为1200V，耐压能力超过1600V，是国内唯一量产的7mΩ出货产品，应用于汽车主驱模块等。
与现有市场方案相比，至信微电子的这款芯片能够显著减少一半的芯片使用数量，从而简化主驱模块设计，降低布线难度和均流要求，提升系统可靠性并优化成本。
至信微电子1200V/7mΩ SiC MOSFET优势如下：
- 领先的特征导通电阻
通过优化JFET区宽度和源极接触区宽度，以及采用额外的JFET区N型离子注入工艺或高浓度外延工艺，至信微电子成功将特征导通电阻Ron,sp降低至2.8mΩ·cm，达到国内领先水平。同时，沟道自对准工艺的应用进一步降低了沟道长度，显著改善了器件性能。
- 优异的短路能力
通过调整沟道长度、阈值和JFET电场控制，至信微的SiC MOSFET短路能力达到3us以上，处于业内领先水平，确保在大功率电力电子变换器应用中的稳健性。
- 高可靠的栅氧工艺
通过在氧化工艺后加入氮化工艺（NO 或 N2O 退火工艺），沟道迁移率由10cm2/(V·S) 以下增加到 20cm2 /(V·S) 左右，沟道电阻减少50%以上，界面陷阱引起的阈值电压漂移问题也得到改善。同时显著提升了 SiC MOSFET器件性能和产品可靠性。
- 车规级可靠性设计
至信微电子的SiC MOSFET芯片符合车规级应用标准，通过不断改善栅氧工艺，解决了时间相关的介电击穿、阈值电压漂移等问题，确保了在车规级和工业级等高要求应用场景中的出色表现。
此外，该产品已获得多项知识产权，包括实用新型和发明专利。其中，实用新型专利如“一种芯片引线框架及半导体器件”“一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备”等，以及发明专利如“沟槽型MOS场效应晶体管的制备方法和应用”等，均为至信微电子在SiC MOSFET研发和生产中的技术创新提供了有力保障。
2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度优秀创新产品奖】
旨在表彰补短板、填空白或实现国产替代，对于我国半导体产业链自立自强发展具有重要意义的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，近一年内实现新产品的研发及产业化；
2、产品的技术创新性强，具有自主知识产权，产生一定效益，促进完善供应链自立自强。
【评选标准】
技术或产品的主要性能和指标（30%）；
技术的创新性（40%）；
产品销量情况（30%）。
