1.芯华章“仿真方法、装置和存储介质”专利公布
2.驰芯半导体“一种用于微处理器数据存储的方法及装置”专利公布
3.紫光同芯“智能卡”专利公布
4.一微半导体“一种斜坡坡度计算方法、机器人控制方法、机器人和芯片”专利公布
5.云天半导体“一种集成无源器件的桥连结构及其制造方法”专利公布
1.芯华章“仿真方法、装置和存储介质”专利公布
天眼查显示，芯华章科技（北京）有限公司“仿真方法、装置和存储介质”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为CN118780220A。
本申请提供一种用于仿真逻辑系统设计的方法，所述逻辑系统设计包括待测设计和测试台。所述方法包括：将所述待测设计分割为多个子设计；根据所述待测设计和测试台的描述生成通信封套，所述通信封套包括连接到所述多个子设计的接口和连接到所述测试台的接口；在第一仿真器上运行所述测试台和所述通信封套；在多个第二仿真器上分别并行运行所述多个子设计，所述多个子设计经由所述通信封套与所述测试台同步；以及从所述第一仿真器获取所述逻辑系统设计的仿真结果。
2.驰芯半导体“一种用于微处理器数据存储的方法及装置”专利公布
天眼查显示，长沙驰芯半导体科技有限公司“一种用于微处理器数据存储的方法及装置”专利公布，申请公布日为2024年10月15日，申请公布号为CN118778897A。
本发明提供一种用于微处理器数据存储的方法及装置，方法包括：将Flash的至少两个Sector用作数据存储区域；将所述至少两个Sector划分为多条Record；将要写入Flash的数据转换为一条Record，依次写入到所述Flash的每条Record里；所述每条Record通过Index来比较新老关系，将最新的Record作为有效Record。本发明提供的用于微处理数据存储的方法及装置，实现了Flash的磨损均衡，同时防止擦写掉电导致的数据丢失，且兼容支持ECC校验的Flash。
3.紫光同芯“智能卡”专利公布
天眼查显示，紫光同芯微电子有限公司“智能卡”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为CN118798249A。
本发明公开了一种智能卡。所述智能卡包括：芯片、容性滤波模块和天线模块；所述芯片包括第一天线连接端和第二天线连接端，所述第一天线连接端通过所述容性滤波模块与所述天线模块的第一端电连接，所述第二天线连接端与所述天线模块的第二端电连接；其中，所述容性滤波模块的等效电容值大于所述芯片的等效电容值的二倍。本发明能够降低智能卡损坏的风险。
4.一微半导体“一种斜坡坡度计算方法、机器人控制方法、机器人和芯片”专利公布
天眼查显示，珠海一微半导体股份有限公司“一种斜坡坡度计算方法、机器人控制方法、机器人和芯片”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为CN118778653A。
本申请提供一种斜坡坡度计算方法、机器人控制方法、机器人和芯片，通过两个激光传感器获取打在斜坡上的第一点云和第二点云，然后计算第一点云和第二点云的水平距离和斜坡距离，再与已知的垂直距离共同组成一个直角三角形。在该直角三角形中，仅需分别应用一次正弦定理以及反正弦函数即可获得斜坡坡度，计算难度极低、效率极高。所述斜坡坡度计算方法使得机器人不需要通过碰撞或者爬上斜坡就可以提前知道斜坡的度数，大大提高了安全性。在本身安装有激光传感器的机器人上，不需要再新增激光传感器或只需新增一个激光传感器，成本较低，实用性强。
5.云天半导体“一种集成无源器件的桥连结构及其制造方法”专利公布
天眼查显示，厦门云天半导体科技有限公司“一种集成无源器件的桥连结构及其制造方法”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为CN118782583A。
本发明公开一种集成无源器件的桥连结构及其制造方法，其中，桥连结构包括：玻璃基衬底和无源器件区域，其第一表面设置有第一重布线层和至少一层高密度布线层，高密度布线层的介质层上具有第一开口，第一开口与用于互连芯片的第一凸点连接；无源器件区域形成在玻璃基衬底中，无源器件区域包括位于玻璃基衬底上的盲孔或通孔、形成于盲孔或通孔上的无源器件结构，无源器件结构包括电容结构、3D电感结构或3D电阻结构中的一种或者多种的组合，无源器件结构连接第一重布线层。该桥连结构封装尺寸更薄，集成度更高，制作简单，成本低，并且可有效的解决有机基板在高频传输信号下出现的损耗大、频偏严重等问题。
