据第三方机构研究，预计到2027年LPDDR5将达到200亿美元的市场规模，其增长主要来自智能手机、数据中心与云计算服务器和车载存储系统等，尤其AI手机和AI服务器的需求增长。KEYMOS科摩思紧跟市场趋势推出LPDDR5高性能内存，满足各终端对高性能存储的需求。目前KEYMOS科摩思LPDDR5已对客户送样并调整适配中。

KEYMOS科摩思LPDDR5内存产品

多项技术优化 速率提升50%

KEYMOS科摩思LPDDR5内存采用WCK信号设计优化及NT-ODT技术， 增强抗干扰能力，确保数据在传输过程中减少延迟和数据的完整性及准确性，以此提高LPDDR5的传输速率。此外，该内存支持多Bank Group模式，不仅增加了并行数据通路，同时降低单次访问的能耗。凭借着多项技术优化，KEYMOS科摩思LPDDR5速率高达6400Mbps，相较于LPDDR4X速率4266Mbps提升50%，从而提供更流畅的用户体验。

KEYMOS科摩思LPDDR5产品介绍图

低功耗 电压低至0.5V

通过E-DVFSC电源管理和Auto TCSR技术结合，如自动刷新（Auto Refresh）、温度补偿自刷新（Auto TCSR）和深睡眠模式等，KEYMOS科摩思LPDDR5内存实现动态地调整其工作电压和时钟频率，更精细地进行功能控制，减少不必要的能耗，降低内存芯片的磨损，从而提高设备的可靠性和稳定性。KEYMOS科摩思LPDDR5内存电压低至0.5V，可有效延长设备的续航时长。

KEYMOS科摩思LPDDR5产品参数图

海力士晶圆封装稳定性强

KEYMOS科摩思LPDDR5内存采用海力士晶圆进行封装，以其强稳定性和高可靠性适配各应用终端。该内存还提供4GB和8GB两种容量选择，广泛适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、游戏机、VR/AR设备、边缘计算、POS机和商显等应用领域。

KEYMOS科摩思LPDDR5内存产品的推出,标志着超盈智能科技在高性能存储领域取得新突破。目前，集高性能、低功耗和强稳定性于一体的KEYMOS科摩思LPDDR5内存产品处于送样调试阶段，将为推动高效能设备的应用提供坚实的存储支撑。