韩国两大半导体大厂三星和SK 海力士对极紫外线（EUV）微影技术采取不同策略，引起业界关注。两家EUV 不同政策正值高度市场竞争时刻，能看出各自处境。
据报导，组织重整计划，三星全球制造和基础设施总部下成立新工作小组（TF）名为「EUV Synergy TF」，视为提高先进制程良率的举动。 EUV Synergy TF 任务是管理EUV 设备，提高微影曝光和追踪设备使用率，目标是最大限度提高EUV各种材料和零件良率，包括ASML独家200 亿美元的微影曝光机，以及东京电子(TEL) EUV 轨道。
三星承诺大量投资EUV，华城和平泽厂都购置30 多台EUV，以13.5 奈米波长光源将半导体电路印制至晶圆，对生产较小较复杂的半导体电路至关重要。三星2019 年将EUV 导入制程，后来也提高第六代10纳米级DRAM 生产。
SK 海力士今年却解散EUV TF，并入未来技术研究院，突显SK 海力士关注长期技术进步，而不是提高产量。 SK 海力士2021 年EUV 生产第四代10纳米级DRAM，目前利川M16 工厂有十多台EUV。 SK 海力士未来技术研究所预估准备导入下代EUV，即High-NA EUV，最快2025 下半年收到第一台High-NA EUV。
韩国市场人士表示，三星将EUV 用于改善良率与提高产能，表示代工与HBM 落后的三星急于寻找突破处。 SK 海力士则用于技术发展，为保持领先地位，并为将来做好准备，可看出两家公司面临不同的挑战。
