1.北方华创“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”专利公布
2.基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布
3.一微半导体“一种n倍脉宽扩展电路及脉宽扩展的锁相环系统”专利获授权
1.北方华创“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”专利公布
天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司“一种腔室清洁方法及半导体工艺设备”专利公布，申请公布日为2024年11月29日，申请公布号为CN119050039A。
本申请提供了一种腔室清洁方法及半导体工艺设备，该方法包括在工艺腔室中的静电卡盘满足电荷清洁的触发条件时获取挡板的当前状态，并基于挡板的当前状态以及工艺腔室的第一目标状态确定挡板满足移出条件时控制挡板移出工艺腔室，以在工艺腔室的当前状态达到第一目标状态时控制工艺腔室执行电荷清洁，电荷清洁用于中和静电卡盘的残余电荷，从而能够自动将挡板移出工艺腔室以及自动执行电荷清洁，极大提高了静电卡盘中残余电荷的清洁效率，且无需人工参与，降低了残余电荷清洁过程中的人力成本。同时，通过将挡板移出工艺腔室能够有效避免挡板对静电卡盘的残余电荷清洁效果的影响，保证了对静电卡盘中的残余电荷进行自动清洁时的清洁效果。
2.基本半导体“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布
天眼查显示，深圳基本半导体有限公司“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年11月29日，申请公布号为CN119049972A。
本发明公开了一种碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制备方法，该方法包括：获取N型碳化硅衬底，并在N型碳化硅衬底的正面生长N型碳化硅外延层，在N型碳化硅衬底的背面生成漏极金属层；N型碳化硅外延层的顶部表面的第一区域依次注入P型杂质和N型杂质，以形成相邻的N型掺杂区域和第一P型掺杂区域；在第一区域中通过光刻工艺刻蚀形成沟槽；在沟槽内，由外向内依次生成第一栅极氧化层、多晶硅层和屏蔽栅；在多晶硅层上形成金属链接孔；在沟槽的开口处沉积第二栅极氧化层，以覆盖沟槽开口；在第二栅极氧化层的顶部表面生长源极金属层。利用本发明公开的方法，可以解决现有技术中碳化硅沟槽型MOSFET器件的沟槽底部的两个角落的栅氧化层易被击穿的问题。
3.一微半导体“一种n倍脉宽扩展电路及脉宽扩展的锁相环系统”专利获授权
天眼查显示，珠海一微半导体股份有限公司近日取得一项名为“一种n倍脉宽扩展电路及脉宽扩展的锁相环系统”的专利，授权公告号为CN112202424B，授权公告日为2024年11月29日，申请日为2020年11月6日。
本发明公开了一种n倍脉宽扩展电路及脉宽扩展的锁相环系统，所述n倍脉宽扩展电路包括：包含n‑1个级联的D触发器的脉宽传递序列模块；包含n组延时子阵列的延时阵列模块；包含预设数量的或逻辑单元的或逻辑组模块；包含1个D触发器的输出整形单元模块。本发明还公开了一种应用脉宽扩展电路的锁相环系统。本发明公开的n倍脉宽扩展电路结构简单，可根据信号脉宽扩展需求调节相应脉宽扩展倍数，灵活度高，适应性强，易于实现。所述应用脉宽扩展电路的锁相环系统基于脉宽扩展电路保证了锁相环系统的稳定性。
