2024年，士兰微持续推进碳化硅（SiC）芯片技术研发及产业化进程。4月8日，士兰微发布公告称，截至目前，士兰明镓已形成月产9,000片6吋SiCMOS芯片的生产能力。基于公司自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在4家国内汽车厂家累计出货量5万只，客户端反映良好，随着6吋SiC芯片生产线产能释放，已实现大批量生产和交付。

目前，士兰微已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标接近沟槽栅SiC器件的水平。第Ⅳ代SiC芯片与模块已送客户评测，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模块预计将于2025年上量。

同时，公司加快推进“士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线”项目的建设。截至2024年底，士兰集宏8吋SiCminiline已实现通线，公司Ⅱ代SiC芯片已在8吋miniline上试流片成功，其参数与公司6吋产品匹配，良品率明显高于6吋。士兰集宏主厂房及其他建筑物已全面封顶，正在进行净化装修，预计将在2025年4季度实现全面通线并试生产，以赶上2026年车用SiC市场的快速成长。