以“芯”育人

在坚守中锻造“中国芯”

“这份荣誉不仅属于我个人，也属于我的团队，更属于复旦大学。”张卫说，获得“全国先进工作者”不仅是对他的肯定，更是一种鞭策。

深耕集成电路新器件、工艺与材料研究三十载，获国务院政府特殊津贴、全国五一劳动奖章，担任国家科技重大专项技术副总师，张卫长期投身自主创新，专注于先进工艺技术和新型存储器等研发工作，在先进铜互连工艺、原子层沉积技术和新型器件等领域成果丰硕。

张卫的时间刻度里，是被教学、科研、管理分成无数板块的日程以及始终如一的勤勉与热忱。2003年，他率先在国内开展原子层沉积技术研究，提出一系列栅介质界面调控方法。2013年，发明了对存储器芯片具有颠覆意义的半浮栅晶体管，研究成果成为我国微电子器件领域60多年来在Science上发表的第一篇论文，被国际同行誉为国际集成电路领域的“一个巨大进步”。

他积极研发5-3nm技术节点的器件技术与关键工艺，带领团队在2023年首次实现了3层堆叠纳米线/纳米片的GAA器件沟道结构，为下一步实现堆叠环栅器件打下了坚实基础，实现了长期制约我国集成电路产业发展的核心技术突破。

潜心科研之外，张卫长期坚守在教学一线。面对学生们求知的眼神，张卫总能将前沿的芯片技术深入浅出。即便再忙，他总会提前到教室调试设备，课后被学生围住追问也总是耐心解答。从教30年来，张卫培养了一大批集成电路领域的优秀人才，学生中有5人成为国家级高层次人才，40多人担任我国集成电路头部企业的高管和核心技术人员。

“教育的根本是立德树人，要培养一批核心技术的开拓者、交叉领域的探索者和集成电路产业的领军者，我们必须通过教育，激发青年人深厚的家国情怀以及报国的责任感和使命感。”每当青年教师带着项目申请书来请教，他总会逐页圈注修改建议；产学研合作方案摊满桌面，他反复推敲着技术转化路径；各类需要决策的文件千头万绪，他会耐心跟进相关事项。

那些晨昏交替间的步履匆匆，那些在行政、教学、科研间无缝切换的身影，正勾勒出新时代先进工作者最真实的画像：在科技强国的征程上，永远保持奔跑的姿态。

作为我国微电子领域的开拓者，张卫比谁都清楚，所谓“中国芯”的突破，从来不是某个震撼业界的瞬间，而是由无数个平凡的日子堆叠而成。面对我国集成电路先进制造领域面临的“卡脖子”难题，以及高端领军人才不足等问题，他和他的团队也将不懈探索创新，全力投身复旦新工科建设，力求攻克关键核心技术，为我国集成电路产业的发展培育出一批批优秀人才。