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AMD确认MI350X AI芯片将采用三星/美光HBM3E

作者: 孙乐 06-13 10:49
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来源:爱集微 #AMD# #三星# #美光#
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AMD的新款人工智能(AI)加速器MI350系列将搭载三星电子12层HBM3E芯片。这对于三星电子来说是一个好消息,因为三星电子在英伟达的HBM认证方面一直遭遇拖延。此外,人们对AMD将于明年推出的下一代MI400系列HBM4的供应也寄予厚望。

6月12日,在圣何塞会议中心举行的AI Advancing 2025大会上,AMD宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X将搭载三星和美光的12层HBM3E芯片。虽然此前三星电子一直在向AMD供应HBM,但这是AMD首次正式确认。

MI350X和MI355X本质上是相同的芯片,仅在散热设计上有所不同,这会影响它们的最大运行速度。两款产品都将配备288GB的内存容量。上一代MI300X为192GB,而MI325X为256GB。这意味着内存容量比上一代提升12.5%。

此外,在捆绑8个图形处理单元(GPU)的平台级别,将应用总计2.3TB的HBM3E显存。AMD还宣布了一项战略,旨在提高捆绑多达128个GPU的服务器机架的销量。预计这将需要三星HBM进行大规模供应。

HBM4市场也有望于明年全面开放。AMD表示,将于明年推出的MI400系列将为每个GPU配备432GB的HBM4显存。Helios服务器机架配置72个MI400系列GPU,每个机架将集成31TB的HBM4显存,其AI计算能力是当前一代MI355X服务器机架的10倍。AMD CEO苏姿丰强调:“它的计算能力与英伟达的Vera Rubin服务器机架相当,但HBM的容量和带宽是后者的1.5倍。”

随着JEDEC规范的最终确定,HBM4正进入全面生产阶段。三星电子和SK海力士计划在2025年底前开始量产HBM4。尤其值得一提的是,三星电子在当前一代HBM竞争中落后,决心凭借HBM4扭转乾坤。SK海力士和美光正在基于第五代10nm级(1b)工艺开发HBM4,而三星电子则瞄准基于更先进的第六代10nm级(1c)工艺的高性能,力图重夺内存市场领导者地位。据市场调研公司Omdia数据,今年第一季度,SK海力士占据全球DRAM市场的36.9%,三星电子紧随其后,市场份额为34.4%,美光则为25%。

业内人士评论道:“如果三星电子无法凭借基本规格正在发生变化的HBM4东山再起,三星电子与SK海力士之间的差距只会进一步扩大。AMD也在试图通过其全新设计的MI400系列缩小与英伟达的差距,三星电子必须巩固与MI350系列建立的合作伙伴关系。”(校对/李梅)

责编: 李梅
来源:爱集微 #AMD# #三星# #美光#
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