据媒体报道，三星电子平泽第四园区工厂（P4）第二期（PH2）和第四期（PH4）的投资步伐正在加快。预计总投资约7万亿韩元的外部建设将于今年下半年正式启动。PH1最初设计为NAND闪存工厂，现已转变为同时生产NAND和10纳米级第四代（1a）DRAM的混合工厂，目前设备安装已进入收尾阶段。

三星电子内部仍在讨论是将PH2用作DRAM生产基地，还是将其改造成混合晶圆厂。

去年有消息称，平泽P4是一个由四个阶段组成的最尖端半导体生产工厂，包括代工和存储生产线。三星原本计划首先建设存储生产线PH1，然后是代工生产线PH2，接着是存储生产线PH3，最后是代工生产线PH4，以完成P4的建设。