南京理工大学微电子学院（集成电路学院）申山副教授团队近期在集成电路设计自动化领域取得重要突破，其系列研究成果OpenYield已在刚刚于美国达拉斯落下帷幕的ICCD 2025会议（11月10-12日召开）上发表，并被选为EDA Track最佳论文候选；同时，团队的最新研究成果OpenACM也刚刚被国际顶级会议DATE 2026正式录用。这两项重要成果的发表充分展现了团队在存储器设计自动化领域的创新实力和国际影响力。
ICCD（IEEE International Conference on Computer Design）是IEEE计算机学会主办的计算机设计领域顶级国际会议，专注于集成电路和系统设计的前沿研究，在学术界和工业界具有重要影响力。本届ICCD 2025会议在美国德克萨斯州达拉斯市举办，吸引了来自全球各地的专家学者共同探讨计算机设计领域的最新进展。
DATE（Design, Automation and Test in Europe）会议是欧洲最大的集成电路设计、自动化与测试国际会议，与DAC、ICCAD并列为EDA领域三大旗舰会议，代表着该领域最高的学术水准。OpenACM成果被该会议录用，进一步彰显了团队研究的国际领先水平。
随着人工智能和高性能计算应用的快速发展，静态随机存取存储器（SRAM）作为芯片上最主要的存储技术，其良率分析和设计优化面临着前所未有的挑战。现代AI加速器中SRAM可占据高达70%的芯片面积，移动系统芯片中也达到60%的比例。在先进制程节点下，SRAM良率问题已成为制约半导体产业发展的关键因素——仅1%的良率损失就可能导致数百万美元的收入影响。
面对这一挑战，申山副教授团队从两个关键维度展开了系统性研究。首先，团队创新性地提出OpenYield开源框架，首次系统性地将互连寄生效应、单元间漏电耦合和外围电路变化等二级物理效应纳入SRAM良率分析，填补了学术研究与工业实践的关键空白。该框架通过高保真建模显著提升了SRAM良率分析的准确性，为相关研究建立了类似ImageNet的标准化基准，推动研究可重现性和技术创新加速发展。
在此基础上，团队进一步开发了业界首个融合近似计算的数字存内计算开源编译器OpenACM，通过精度可配置乘法器库（精确/近似/对数乘法器）在保持应用精度的同时实现高达64%的能耗节约。该工具基于OpenROAD和FreePDK45构建完整开源生态，摆脱专有依赖，集成FakeRAM2.0模板和重要性采样蒙特卡洛仿真，为AI应用提供从架构到物理实现的端到端自动化流程。
通过联合英国谢菲尔德大学、北京航空航天大学、中国电子科技集团第58研究所等多家单位开展协同攻关，申山副教授团队构建了从SRAM良率分析到近似存内计算的完整技术体系。其开源、可重现的研究平台有效解决了集成电路设计自动化领域长期存在的"可重现性危机"，为人工智能、5G通信等新兴技术发展提供了重要技术支撑，将有力推动我国半导体产业技术创新和核心竞争力提升。
附：论文完整信息
OpenYield论文
题目："OpenYield: An Open-Source SRAM Yield Analysis and Optimization Benchmark Suite"
作者：Shan Shen, Xingyang Li, Zhuohua Liu, Junhao Ma, Yikai Wang, Yiheng Wu, Yuquan Sun, Wei W. Xing (通讯作者)
Arix：https://arxiv.org/abs/2508.04106
GitHub: https://github.com/ShenShan123/OpenYield
OpenACM论文
题目："OpenACM: An Open-Source SRAM-Based Approximate CiM Compiler"
作者：Yiqi Zhou, JunHao Ma, Xingyang Li, Yule Sheng, Yue Yuan, Yikai Wang, Bochang Wang, Yiheng Wu, Shan Shen (通讯作者), Wei Xing (通讯作者), Daying Sun (通讯作者), Li Li and Zhiqiang Xiao
资助信息
本研究得到以下项目资助：
1. 国家自然科学基金青年科学基金项目
2. 南京理工大学自主科研专项重大重点项目培育专项
