瑞萨发布3nm汽车芯片

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近日,瑞萨电子宣布两项核心技术进展,分别面向汽车SoC及TCAM存储领域,具体如下:

瑞萨开发出适配R-Car X5H(面向汽车多域ECU的SoC)的先进技术,可使汽车SoC在芯片组配置下实现高性能AI处理,且符合功能安全标准。目前该芯片已交付样品,计划2027年下半年量产,定位为软件定义汽车(SDV)时代的核心SoC。

核心技术亮点包括:一是独特架构支持汽车安全标准ASIL-D,通过区域ID与UCIe通信标准结合,实现芯片组间安全访问控制,传输速度达51.2GB/s;二是优化CPG架构,解决多层微型CPG(mCPG)测试同步难题,降低延迟;三是采用90多个功率域的功率门控技术,结合环形与行形功率开关,使IR压降降低约13%;四是双核锁步(DCLS)配置搭配精准监测技术,提升抗老化性能与故障检测能力。

2026年2月18日,瑞萨推出采用3nm FinFET工艺的可配置三态内容寻址存储器(TCAM)技术,可应用于汽车SoC及多领域设备,兼具高密度、低功耗与高功能安全性。

TCAM是一种高速搜索存储器,在汽车中用于传感器信息的通信控制。瑞萨此次新开发的TCAM硬宏可灵活配置,结合软宏生成技术,可覆盖多种应用场景,内存密度达5.27 Mbits/mm²,处于业界最高水平。

该技术通过两级流水线搜索降低功耗,256位×512项配置下搜索能耗仅0.167 fJ/位,搜索速度达1.7GHz,品质因数(FOM)表现优异;同时优化错误检测与纠正机制,解决传统TCAM双位错误无法纠正的问题,提升汽车应用所需的功能安全性。该技术还可应用于工业及消费电子设备。

责编: 邓文标
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