2026年03月25日，普达特科技发布半导体设备业务发展的进展公告。
公司一台12英吋LPCVD炉管设备成功通过客户验收，应用于LP - SiN薄膜沉积工艺，另一台12英吋ALD炉管设备在客户端验证中，应用于ALD - SiN/ALD - SiCN薄膜沉积工艺，兼容Thermal/Plasma模式。其先进半导体炉管设备产品线有Galilee - LP与Galilee - ALD两大平台，服务多领域，覆盖65nm - 7nm先进节点关键薄膜沉积工艺，可沉积多种膜层材料。公司还完成开发用于14/7nm节点的Low - K ALD SiOCN炉管设备。
另外，自2025年10月至今，已有五台6至12英吋CUBE单 片清洗设备在多家客户处通过验收，应用于多个领域，其中两台为重复订单。该设备针对背面清洗与蚀刻工艺，有超薄晶圆处理等能力。未来，公司将继续完成设备交付与验收，扩大客户基础，推动国产设备突破。
设备交付交易不构成须公布交易，公司将适时公告（如需），并提醒股东及投资者买卖证券时审慎行事。
