第二轮会议通知 | 2026年HoFCVD薄膜装备与应用技术大会暨第十二届全球热丝CVD大会

来源:汉可装备 #CVD大会#
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在人工智能、半导体芯片、新型显示、新能源、新材料等产业加速向二维及一维技术迈进的过程中,现有CVD、PVD等真空制备技术的瓶颈日益凸显,亟需新技术的突破与导入。热丝化学气相沉积(HoFCVD)技术可实现超低温镀膜(<200℃,甚至可低至室温),兼具零等离子损伤,兼容半导体、无机及有机等多类材料制备的优势,有望为新一代制造带来颠覆性变革。

2026年HoFCVD薄膜装备与应用技术大会暨第十二届全球热丝CVD大会,将于2026年6月8日 - 9日在中国江西九江盛大启幕。届时,HoFCVD技术开创者松村英树教授将携全球二十余国顶尖学者与产业领袖齐聚九江,深度解码热丝CVD技术的前沿突破与产业化路径。这是一场链接学术与产业、现在与未来的全球对话。我们诚邀您共赴九江,见证技术变革,共塑薄膜沉积技术新格局。

01
最新议程

会议时间:2026年6月8日-9日

会议地点:江西九江共青城市

会议日程:

2026年6月7日:报到

2026年6月8日:开幕式及主旨报告

2026年6月9日:主旨报告

02
组织单位

1、指导单位

中国真空学会

2、主办单位

江西汉可智能装备有限公司

德国于利希研究中心

江苏省真空学会

南京航空航天大学

3、承办单位

江西汉可泛半导体技术有限公司

江苏汉可智能装备有限公司

山东泓福智能科技有限公司

中国真空学会电子材料与器件专委会

江苏省真空学会薄膜技术专委会

4、支持单位

南昌交通学院

江西省科学院能源研究所

江西省能源电子装备产业技术创新战略联盟

(持续更新中...)

03
会议主席

名誉主席:

Hideki Matsumura,日本北陆先端科学技术大学院大学,荣休教授

会议主席:

沈鸿烈,南京航空航天大学教授/ 亚太材料科学院院士

同席主席:

黄海宾,江西汉可智能装备有限公司,董事长、CTO

Alexander Eberst,德国于利希研究中心,研究组长

04
学术委员会
  • Hideki Matsumura(松村 英树)- 北陆先端科学技术大学院大学(JAIST),荣休教授,日本

  • Ruud E.I. Schropp(路德・E.I.・施罗普)- 乌得勒支大学和埃因霍温理工大学,荣休教授,荷兰

  • Sung Gap Im(任成甲) - 韩国科学技术院(KAIST),教授,韩国

  • Kenneth K. S. Lau(肯尼斯・K.S.・刘)- 罗文大学化学工程系 /亨利·M·罗文工程学院,教授兼系主任,美国

  • Volker Sittinger(沃尔克・西廷格)- 弗劳恩霍夫表面工程与薄膜研究所金刚石系统与清洁技术系系主任,德国

  • Christopher Arendse(克里斯托弗・阿伦德斯)- 西开普大学,教授兼研究室主任,南非

  • Rajiv Dusane(拉吉夫・杜萨内)- 印度理工学院孟买分校(IIT Bombay),教授,印度

  • Alexander Eberst(亚历山大・埃伯斯特)- 于利希研究中心硅基异质结太阳能电池,研究组长,德国

  • Akira Izumi(和泉 亮)- 九州工业大学工学研究院,教授,日本

  • Shinya Ohmagari(大曲 新矢)- 产业技术综合研究所(AIST)先进功率电子研究中心(ADPERC),教授,日本

  • Keisuke Ohdaira(大平 圭介)- 北陆先端科学技术大学院大学(JAIST),教授,日本

  • Yujun Shi(侍育君)- 卡尔加里大学,教授,加拿大

  • 沈鸿烈 - 南京航空航天大学,教授 / 亚太材料科学院,院士

  • 刘正新 - 中科院上海微系统与信息技术研究所,研究员,中国

  • 廖良生 - 苏州大学,教授 / 俄罗斯工程院外籍院士 / 江苏省产业技术研究院有机光电技术研究所,执行所长,中国

  • 麦耀华 - 暨南大学 新能源技术研究院院长 / 广东脉络能源科技有限公司创始人、董事长,中国

  • 魏秋平 - 中南大学教授 / 湖南新锋科技有限公司创始人、董事长,中国

  • 贾   锐 - 西安交通大学,教授,中国

  • 孙方宏 - 上海交通大学,教授,中国

  • 高平奇 - 中山大学,教授,中国

  • 张金灿 - 苏州大学,教授,中国

  • 王学文 - 西北工业大学 ,教授,中国

  • 张凤鸣 - 南京大学,教授,中国

  • 吴   坚 - 阿特斯嘉兴研究院院长,中国

  • 刘正龙 - 深圳市华星光电技术有限公司技术专家,中国

05
重磅嘉宾

(持续更新中...)

06
征文范围

(1)基础:气体化学、表面化学、反应机理、催化研究、分析诊断、建模、模拟;

(2)工艺:HoFCVD、Cat-CVD、iCVD、氧化CVD、等离子体辅助热丝化学气相沉积、热丝辅助原子层沉积;

(3)材料:硅基类、碳基类、半导体、金属、氧化物、氮化物、高分子、有机物、复合材料;

(4)结构:薄膜、涂层、多层膜、复合膜、颗粒、粉末、纳米结构;

(5)应用:能源捕获材料、能量存储器件、光伏电池与组件、光热应用、电光转换器件、电化学电池、制氢技术、电子器件、光电子器件、生物技术、水处理技术、屏障层、蚀刻技术、表面改性技术,环境监测,传感材料,资源利用,磁电材料,量子点材料,低维材料、节能技术;

(6)商业化:放大生产、技术转移、工业设计、工业系统。

07
投稿及报告要求

(1)征集范围:

        凡是大会主题范围内的论文或研究报告,均可投稿。

(2)投稿须知:

        >> 报告语言支持中文或英文。

        >> 稿件经评审入选后,统一安排现场报告与交流。

        >> 报告将由评审委员会进行评审。

        >> 请以演示文档(ppt / pptx)形式提交报告。

        >> 报告篇幅通常为20页- 28页。

        >> 报告中应有中/英文摘要和关键词。

        >> 如无特殊说明,录用通知将发送给第一作者与投稿人。

        >> 口头报告时间20-30分钟,包括5分钟现场问答。

(3)投稿方式:

        2026年4月25日前,通过邮箱或二维码,反馈报名与摘要;

        2026年5月20日前,通过邮箱提供报告用PPT。

(4)投稿邮箱:honglie.shen@hactech.cn。

08
会议赞助

本次大会汇聚全球业界精英,聚焦前沿技术与产业未来,是彰显品牌实力、链接国际资源、拓展全球视野的高端平台。

会议诚挚欢迎各界的赞助与合作,共筑行业新局,共创长远价值。大会提供如下服务:

1、与大咖同台专场报告机会;

2、公司广告页编入会议手册;

3、提供现场宣传展示区;

4、享有大会专访机会;

5、提供大会专属纪念品;

6、赞助方冠名宣传。

09
在线报名

本次大会报名免注册费,演讲名额有限,期待您的深度参与。如有意向参会,请通过识别以下二维码进行在线报名。

联系人:康先生,17788770637(微信同号)。

10
时间节点

递交摘要截止:2026年4月25日

录  用  通  知:2026年5月10日

终稿提交截止:2026年5月20日

11
联系我们

主 办 方 :江西汉可智能装备有限公司

联系电话:17788770637(康先生)

                15162782562(李女士)

地    址  :江西省九江市共青城市高新区火炬五路

12
到达会场

会场地点:共青城市格兰云天国际酒店(共青城市富华大道 169 号,富华大道与高尔夫大道交汇处)

各位可以通过飞机、高铁、动车等到达南昌站、南昌西站、南昌东站、九江站、共青城站,或通过自驾到达共青城市会场,前者可以参考下方内容,选择和完善您的行程。

一、南昌昌北机场(飞机到)

1、最省事:机场坐定制大巴到共青城汽车站(约70分钟、40元),再打车到酒店(10分钟、15元)
2、最快:机场打车 / 网约车直达酒店(约50分钟、180-220元)
3、省钱:机场坐地铁 / 公交到南昌西站,再转高铁到共青城站(全程约1.5 小时)

二、南昌西站(高铁 / 动车到)

1、首选:站内直接买南昌西→共青城高铁 / 动车(28-35分钟、22-25元),到共青城站后打车10分钟、15元到酒店(富华大道169号)
2、直达:打车 / 网约车(约1小时、150-180元)

三、南昌站(老火车站)

首选:站内买南昌→共青城动车(40分钟、22元),到共青城站后打车到酒店
备选:坐地铁2号线到南昌西站,再转高铁去共青城站,再打车前往酒店会场。

四、南昌东站(新东站)

先坐地铁 / 公交到南昌西站(约40分钟),再买高铁到共青城站(无南昌东直达),最后打车到酒店
直达:打车 / 网约车(约1.2小时、200元)

五、九江站(九江方向来)

首选:站内买九江→共青城高铁 / 动车(25-30分钟、20元),到共青城站后打车到酒店
直达:打车 / 网约车(约40分钟、100-120元)

六、共青城站(已到共青城)

出共青城站直接打车(网约车,6公里、10分钟、15元,导航“共青城格兰云天国际酒店(富华大道169号)”。

责编: 爱集微
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