三星电子计划最早于5月生产出其下一代高带宽存储器HBM4E的首批样品，并在内部验证后将芯片交付给英伟达。
该公司正在加速开发其第七代HBM产品，以保持在快速增长的人工智能（AI）内存市场的强劲势头。三星计划在向客户交付样品之前，先完成达到预期性能水平的首批样品。
三星晶圆代工部门预计将于5月中旬生产出HBM4E的逻辑芯片样品。这些组件随后将被转移到内存部门，与DRAM封装。完成的样品将在交付给英伟达之前进行内部性能评估。
三星此前曾在3月GTC 2026大会上展示了HBM4E芯片的实物。然而，业内人士普遍认为该芯片更像是演示样品，而非符合商业性能要求的产品。该芯片预计每引脚传输速度可达16Gbps，带宽可达4.0TB/s，较HBM4有所提升。
三星正力图巩固其在HBM4量产领域的先发优势，并采用比竞争对手更先进的工艺技术。据业内人士透露，三星预计将采用4nm制程工艺制造逻辑芯片，并采用10nm(1c级)DRAM 芯片。
竞争对手SK海力士也在加速HBM4E的研发，计划采用更先进的DRAM和逻辑芯片工艺。
英伟达Vera Rubin AI平台（将使用HBM4和HBM4E）的生产计划已经进行一些调整，但三星正在加紧推进，以避免在HBM3E市场重蹈覆辙。（校对/赵月）
