新思科技携手台积公司全面加速EDA、IP及系统协同创新,助力下一代AI算力突破

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新思科技(Synopsys, Inc.,纳斯达克股票代码:SNPS)近日宣布,在台积公司先进的制程与封装技术节点上,围绕台积公司 3nm 与 2nm 制程系列,以及采用超级电轨(Super Power Rail,SPR)的 A16™ 与 A14 等节点,在已通过硅验证的 IP、AI 驱动的 EDA 流程以及系统级技术赋能等方面取得多项重要进展。

通过整合智能化的数字、模拟与验证流程,先进的 3D Multi-Die 设计能力,以及光‑电协同设计能力,新思科技正在帮助开发者提升多物理场分析结果的质量,并加速从芯片到系统的开发周期,以应对日益复杂的 AI 与高性能计算设计需求。

新思科技高级副总裁Michael Buehler‑Garcia表示:“台积公司先进的制程与封装技术,正在为 AI 与自动化系统在性能、带宽和能效方面开辟全新空间。通过双方深入合作,新思科技将交付 AI 驱动的设计流程、先进的多物理场签核能力,以及覆盖接口与基础 IP 的完整、已通过硅验证的产品组合,帮助客户加速创新,并实现卓越的设计结果质量。”

台积公司生态系统与联盟管理部门负责人Aveek Sarkar表示:“我们与新思科技等 Open Innovation Platform®(OIP)开放创新平台生态伙伴紧密合作,不断拓展并覆盖台积公司更多的先进制程节点和 3DFabric® 技术,以满足人工智能( AI)和高性能计算(HPC)领域快速增长的需求。通过将新思科技的认证 EDA 解决方案和 IP 产品组合,与我们全新的制程工艺及封装技术创新相结合,我们致力于帮助客户不断突破性能、集成度和能效的极限,打造面向下一代 AI 系统的领先芯片解决方案。”

通过面向光、电、热的一体化分析与签核流程加速 3DFabric 技术发展

为支持 Multi-Die 设计规模和复杂度的持续提升,新思科技与台积公司面向台积公司的 3DFabric 技术体系上进一步增强了包括支持 5.5 倍光罩尺寸中介层的 TSMC‑SoIC® 与 CoWoS® 技术的设计赋能能力。作为一个覆盖从探索到签核的统一平台,新思科技 3DIC Compiler 通过自动化能力提升设计生产力,支持基于台积公司 3DFabric 技术的设计实现。新思科技 3DIC Compiler 还与 RedHawk‑SC™、RedHawk‑SC Electrothermal™ 以及 Ansys HFSS™ 软件实现集成,提供覆盖热、功耗及高速信号完整性的多物理场分析能力。

基于新思科技 RedHawk‑SC™ 的数字电源完整性分析、新思科技 Totem™ 的模拟电源完整性分析以及 HFSS‑IC Pro 的电磁提取解决方案,新思科技与台积公司在相关领域的合作已从 A16™ 制程进一步扩展至 A14。新思科技 Totem‑SC™ 针对大规模 N2 制程设计及嵌入式存储器,提供超高容量的模拟电源完整性签核能力;同时,新思科技 PathFinder‑SC™ 将多芯片静电放电(ESD)签核覆盖范围扩展至 N2 节点。基于云的多处理器与 GPU 加速进一步缩短了周转时间,使多物理场设计团队能够在复杂且受热约束的三维封装结构中实现快速迭代。

扩展后的多物理场仿真与分析能力,进一步增强了在光子、电气和热等多个领域的覆盖。面向 COUPE 的设计使能涵盖 Ansys Zemax OpticStudio® 的光路径仿真、Ansys Lumerical™ 的光子器件仿真、HFSS‑IC Pro 的电磁提取,以及 RedHawk‑SC Electrothermal 的热—电协同仿真。这些工具协同工作,支持高带宽数据中心互连所需的共封装光学解决方案设计。

加速设计生产力并缩短设计结果周期

新思科技正与台积公司在其 A14 制程上展开合作,在基于 NanoFlex™ Pro 架构的新思科技 Fusion Compiler™ 中引入智能体运行辅助(agentic run assistance),以在设计流程的不同阶段识别时序优化机会,从而实现更优的设计结果质量。此外,新思科技 IC Validator™ 中基于 AI 的物理验证能力也在持续推进中,旨在加快设计规则检查(DRC)违规问题的识别与修复流程,加速实现满足流片要求的设计结果。

覆盖先进制程与 AI、边缘计算、汽车等重点应用领域的 IP 产品组合

今年,新思科技在其 IP 产品组合方面实现多项重要创新,进一步巩固了其在 AI、数据中心、边缘计算和汽车市场高性能互连领域的领先地位。通过一项关键的光子学合作,新思科技推出了 224G IP 解决方案,支持共封装光学以太网和 UALink,满足下一代电光系统对带宽的需求。与此同时,新思科技在台积公司 N5、 N3P 和 N2P 制程上取得多项首次硅片成功(first-silicon)里程碑,包括 PCIe 7.0、HBM4、224G、DDR5 MRDIMM Gen2、LPDDR6/5X/5、UCIe 64G 以及 M‑PHY v6.0 IP,在性能、能效和可扩展性方面树立了全新领先水准。

新思科技进一步扩展了其面向台积公司 N3P 和 N2P 制程的行业领先、已通过硅验证的基础 IP(Foundation IP)产品组合,提供嵌入式存储器、逻辑单元库和 IO 解决方案,支持低功耗数据中心、AI 加速器、移动网络以及先进云计算平台的设计需求。凭借强劲的市场采用率、业界领先的 PPA 表现以及覆盖从 N6 到 N3 的紧凑型“C”节点的清晰产品路线图,新思科技 Foundation IP 已具备为下一波半导体创新提供强大支撑的能力。

此外,新思科技通过在 N5A 制程上推出完整的 UCIe IP ASIL‑B 解决方案,进一步巩固了其在汽车领域的领先地位。该方案与其在台积公司 N5A 和 N3A 节点上已具备的高可靠性接口 IP 和基础 IP 产品组合形成互补,面向下一代汽车 SoC,并持续强化其在快速增长的汽车 chiplet 生态系统中的发展势头。

责编: 爱集微
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