6月12日，第三届长春国际光电博览会在东北亚国际博览中心正式开幕。御微半导体携核心量检测解决方案亮相A1馆F11展位，并在展会首日成功举办i12-FEB5新品发布会，吸引众多专业观众及行业媒体驻足交流。
新品发布
i12-FEB5面向先进制程与先进封装
在展方穹顶活动区，御微半导体正式发布 i12-FEB5 晶圆边背缺陷检测设备。该产品面向前道先进制程（2x nm及以下节点）和3D IC/HBM封装领域，是国产高端边缘+背面检测系统，已在多家头部客户验证通过，实现国产替代。
五大核心卖点
极致检测精度和效率
一次扫描同步获取多模态信号，实现边背面亚微米级细微缺陷高效检出，兼顾高灵敏度与量产产能。
多维边缘量测功能
全面量测边缘、轮廓、键合中心度等参数，强化关键尺寸与对准质量管控。
全景扫描聚焦检测
逐点扫描实现全景成像，关键位置无死角，实现边缘全表面管控。
友好操作软件平台
无需硅片创建处方，降低使用门槛，提升生产效率。
在线AI智能识别
融合AI算法，缺陷误检率较传统算法降低80%，同时提升关注缺陷检出率，降低产线工作量。
适用领域覆盖先进逻辑与先进存储关键工序的边背面质量管控，以及TSV、背面减薄、堆叠封装等先进封装核心工艺。
i12-FEB5的发布，为国内先进制程Fab和3D IC/HBM封装厂提供了核心装备支持，是实现国产化并具备晶圆边缘和背面高阶检测能力的解决方案，助力产业链自主可控。
论坛交流
洞察先进光学技术趋势
御微市场总监曾安生在“共筑半导体产业生态：先进光学技术及装备合作发展研讨会”上发表了《先进半导体制程的量检测挑战和展望》的主题演讲。本次研讨会汇聚了产业链上下游机构及企业专家。与会嘉宾围绕先进光学石英材料、皮米级超精制造、AI赋能掩模成像、12寸硅光器件等议题展开深入交流。
曾安生在演讲中分享：AI正驱动半导体市场进入高速增长期，先进制程向GAA、CFET、3D DRAM、混合键合等方向演进，器件结构复杂化、特征尺寸纳米化，给缺陷检测和量测带来前所未有的挑战。未来，光学、电子束、AFM、X-ray等多技术融合，结合AI深度协同，将成为提升良率的关键路径。
展台交流
专业观众关注技术方案
展台集中展示了御微在掩模检测、晶圆检测等领域的主力产品模型，技术团队结合客户实际需求进行讲解，多场一对一交流在现场展开。
i6R系列产品作为御微公司首款产品，用于掩模表面缺陷的检测，已广泛应用于各大光罩厂和晶圆厂；
i12以及HOUYI系列产品在前道芯片制造和先进封装领域延续着领先优势；
Halo系列产品已批量出货给掩模基板以及掩模制造客户，并获得重要客户重复性订单；
Raptor系列产品自今年三月在SEMICON China 2026上举办新品发布会后，不断提升和优化设备性能，稳步贡献量产产能。
3.15秒数挑战
橘工趣味互动人气爆棚
在御微，“精准”不是一句口号，而是刻进产品里的基因。从掩模版纳米级的缺陷检出，到晶圆边缘亚微米的缺陷表征，我们始终在Epsilon的尺度上追求确定性。这份对“毫厘”的执着，被浓缩成展会上的一场趣味挑战——
“橘工3.15精准挑战”，观众只需按下计时器，尝试在恰好3.15秒时停止，这一数字源自公司2019年3月15日的成立日，既考验手感又富含纪念意义。差0.01秒，就是另一个世界。在半导体制造的微观世界里，一个缺陷、一纳米的偏差，就可能改变良率的走向。展台前排起长队，观众们跃跃欲试，时而因毫秒之差发出惋惜声，时而因精准命中爆发出欢呼声。
