瑞士银行（UBS）日前发布最新产业研究报告，大幅上调DRAM合约价格预测。瑞银预计，2026年第三季DDR合约均价将较上季劲扬32%，第四季再上涨18%，分别大幅优于先前预估的17%及12%。
NAND闪存方面，瑞银同步调升展望，预计第三季较上季上涨30%（原估17%），第四季较上季上涨12%。
瑞银指出，DRAM市场供需紧张态势预计至少延续至2028年上半年。据估算，2027年芯片需求年增幅约达36.2%，远高于供给端的19.3%增长，缺口难以填补，供需失衡程度堪称近30年罕见。
若不计下游库存回补效应，供应短缺比率将从2026年的8.1%，进一步恶化至2027年的13.6%。
综合上述判断，瑞银预期，价格上涨将推动存储产业2026年营收达9920亿美元，2027年更将攀升至1.76万亿美元。
韩国媒体7月3日率先披露，三星电子计划将第三季DRAM平均售价较上季调涨最高20%。一家消费电子品牌厂商负责人亦证实，今年6月三星已主动洽谈，目前厂商已接获口头涨价通知。
该负责人表示：“上游零组件大幅涨价最终会传导至终端整机售价，对需求多少有所抑制，但考虑到消费电子产品现行售价整体不高，预期对消费者购买意愿影响有限。”另有业内资深人士也确认，三星已通过口头报价方式通知部分客户。
三大巨头同步扩产，抢攻AI芯片需求
面对供不应求的市场局面，存储三巨头纷纷加速布局产能扩张。
根据《彭博》报道，美光科技7月4日于日本广岛举行西部厂区扩建奠基典礼，本次扩建投资规模达1.5万亿日元（约 93 亿美元），聚焦量产高频宽存储（HBM）等高阶芯片，预计2028年夏季前后开始出货。
日本经济产业省已承诺补助最高5000亿日元，分摊部分建厂成本。此外，美光亦在美国爱达荷州博伊西规划两座顶尖晶圆厂，并于今年1月在纽约州锡拉丘兹近郊举行千亿美元生产基地奠基仪式。
三星则宣布计划在南韩西南城市光州兴建两座存储芯片制造厂；SK海力士也规划于全罗道周边地区建设两座晶圆厂。
两家公司合计投资规模高达800万亿韩元（约5223亿美元），作为韩国政府“三大超级工程”倡议的核心项目。该倡议以半导体、实体AI及AI数据中心为驱动，总投资规模达4755万亿韩元。
根据《韩联社》报道，韩国总统李在明预计下周主持召开战略审查会议，亲自督导西南地区超大型半导体生产基地的进展。
另据外媒报导，SK海力士计划7月6日启动美国存托凭证（ADR）簿册建设工作，7月9日确定最终发行价，并于次日在那斯达克挂牌上市，目标筹资规模最多达294亿美元，发行股数预计不超过现有流通股的2.5%。
