2026年8月12日，新思科技官宣完成全球首个HBM4接口IP测试芯片实物验证，首次实现HBM4逻辑IP与商用真实HBM存储芯片的端到端互通，标志着下一代超高带宽存储接口技术正式迈入可落地阶段。
本次验证摒弃传统实验室PHY物理层仿真，采用3nm先进工艺制备测试芯片，与商用HBM存储颗粒完成全硬件联调，全面核验接口架构、高速信号传输、DRAM适配等全链路核心指标。实测数据显示，该方案在9.2Gbps当前硬件峰值速率下，可输出清晰宽裕的眼图，系统运行稳定，时钟同步、时序恢复、硅中介层适配等关键性能表现优异。
据了解，受限于当前商用存储器件性能，本次实测速率未达设计上限，该HBM4 IP架构已预留充足扩展空间，单引脚理论最高速率可达12Gbps，接口总带宽突破3TB/s，性能潜力充足。相较于HBM3，HBM4标准实现大幅升级，接口位宽从1024bit翻倍至2048bit，独立通道扩容至32条，但也带来走线密度、传输损耗、工艺偏差等多重设计难题，对信号完整性、功耗控制、电路设计提出极致要求。
新思科技全套HBM4 IP覆盖控制器、PHY物理层、仿真验证全组件，针对多晶粒异构封装架构深度优化，精准适配AI加速芯片、高性能计算SoC场景。此次3nm工艺成功流片验证，证明该IP可匹配顶级先进制程，能够满足下一代高端芯片的工艺演进需求，同时完美适配Chiplet多晶粒异构系统架构。
业内人士表示，此次里程碑式验证大幅降低了全球芯片厂商下一代GPU、AI加速器、高端处理器的研发风险。目前三星、SK海力士、美光三大存储巨头均已布局HBM4研发量产，新思科技的技术突破为上下游产业提供了核心设计验证基准，将有效加速HBM4产业链成熟落地，推动高端AI、高性能计算硬件迭代提速。
