8月25日晚间，卓胜微披露2026年半年报。报告期内公司实现营业收入18.10亿元，同比增长6.20%，在消费电子景气度持续承压、AI需求引发供应链结构性挤兑的行业背景下实现逆势增长。归母净利润亏损3.71亿元，主要受Fab-Lite转型期固定资产折旧高企、新产品爬坡期成本偏高及行业竞争加剧等阶段性因素叠加影响。
公司基本面正发生结构性变化：L-PAMiD模组出货量持续增长，射频模组营收占比首次突破五成，Wi-Fi8产品率先实现商用出货，光互联战略正式落地。卓胜微正从单一射频芯片设计厂商向设计+工艺一体化平台型企业转型，转型期的投入对短期盈利构成持续压力。
营收增长6.20%，模组化转型成效显现
2026年上半年，全球智能手机市场延续疲软态势，AI算力爆发引发存储芯片等上游环节供需失衡，原材料价格上涨进一步挤压下游利润空间。射频前端行业作为智能手机产业链的关键环节，景气度持续承压，行业竞争日趋激烈。在此背景下，卓胜微上半年营收18.10亿元，实现6.20%的同比增长，据此推算2025年上半年营收约17.04亿元。
分季度来看，公司二季度单季实现营收9.82亿元，环比一季度的8.28亿元增长18.6%，呈现逐季改善态势。这一增长主要来自产品结构升级驱动的结构性增长。报告期内射频前端模组收入达9.29亿元，同比增长22.93%，据此推算2025年上半年模组收入约7.56亿元；分立器件收入约8.81亿元，较去年同期的约9.48亿元有所下降。模组占总营收比重提升至51%，较去年同期提升约7个百分点。高集成度模组产品的放量，成为公司营收增长的主要驱动力。
模组业务的增长，核心驱动力来自L-PAMiD全国产链产品的加速渗透。根据公司在8月26日投资者关系活动中的介绍，L-PAMiD系列产品正处于加速市场渗透阶段，已推出覆盖多种主流架构的解决方案，可灵活满足不同品牌客户的前端设计需求，并已在多家品牌客户实现导入和大规模出货，验证了产品的高可靠性与交付能力。报告期内，该系列产品出货增速持续强劲，预计未来几个季度仍可保持较高增速，在国内市场已形成一定的竞争势头。
存货管理方面，公司表示，一贯严格遵守企业会计准则及信息披露相关规定，执行较为审慎的存货减值政策。报告期内，公司存货减值与冲回并存，其中冲回主要来源于部分前期计提的产品实现销售。当前公司产成品、半成品及原材料的库存结构总体健康合理，公司将持续加强存货管理，推动呆滞库存的消化与变现，保障资产质量。
值得一提的是，报告期内，株式会社村田制作所以侵犯发明专利为由在韩国、中国上海、慕尼黑及欧洲等地对公司提起系列诉讼。截至目前，中国地区三件涉案专利已被国家知识产权局宣告全部无效，对应诉讼已由原告撤回起诉；韩国地区一件涉案专利被韩国知识产权审判和上诉委员会宣告权利要求全部无效，不会对公司利润产生任何不利影响。
高集成模组渗透加速，国产替代推进
作为射频前端集成度最高、技术壁垒最深的模组产品，L-PAMiD长期被海外IDM巨头垄断。卓胜微推出的全国产供应链L-PAMiD系列产品，深度整合了公司6英寸产线自产的MAX-SAW滤波器以及12英寸产线自产的射频开关、低噪声放大器，是业界首款实现全国产供应链的L-PAMiD模组。
管理层介绍，L-PAMiD系列已取得关键商业化成果，覆盖多种主流架构的解决方案可灵活适配不同品牌客户的前端设计需求，目前已在多家品牌客户实现导入和大规模出货。该系列产品出货增速持续强劲，预计未来几个季度仍可保持较高增速，在国内市场已形成一定的竞争势头。
L-PAMiD的渗透推动了公司产品结构的结构性调整。报告期内射频模组营收占比首次突破50%，标志着卓胜微从以分立器件为主的产品结构转向以高集成度模组为主的新阶段。
关于毛利率走势，公司在业绩说明会中表示，毛利率阶段性波动主要受两方面因素影响：一是产能利用率阶段性偏低，对成本结构产生阶段性影响；二是新产品在早期阶段成本相对较高。随着高端模组等新产品出货量持续增加，将逐步优化工艺、提升良率、改善成本结构；同时近期就供应链供需情况提出了合理的价格调整诉求。
Wi-Fi产品线同样传来捷报。公司Wi-Fi7模组产品已实现规模化量产，并凭借性能优势在客户端保持快速增长。更具标志性意义的是，Wi-Fi8射频模组产品已率先完成部分客户导入并开始小批量出货，卓胜微成为市场上首发实现Wi-Fi8射频产品出货的射频厂商之一，先发优势明显。
芯卓平台工艺迭代，技术体系持续完善
自建产线的工艺能力，是卓胜微区别于国内同行的核心差异化因素。
上半年营收同比增长6.20%至18.10亿元，而归母净利润由去年同期的盈利转为亏损3.71亿元，反映出Fab-Lite转型期折旧增加和成本攀升对利润端的显著影响，而高折旧、低产能利用率、新产品爬坡成本，这些都是转型期必经的阵痛
经过多年持续投入，芯卓平台已进入“设计牵引工艺、工艺反哺设计”的协同演进阶段。6英寸滤波器晶圆生产线针对特种材料化合物工艺进行平台建设，围绕压电晶体、GaAs等化合物工艺，以及基于SAW的覆膜封装工艺，已具备较为完整的产品生产制造实力。12英寸硅基技术平台生产线工艺布局覆盖SOI、IPD、BCD、SiGe等特色异质材料及特种工艺，现有SOI工艺产能约9000片/月，洁净室资源可支撑产能进一步扩充。此外，公司以前瞻性视野重点投资并构建了封装工艺技术平台，先进集成工艺已实现技术落地和闭环，为未来光电共封等高集成度产品提供支撑。
公司表示，当前12英寸产线整体产能利用率受消费电子行业周期波动影响，上半年一季度偏低、二季度回升，后续季度趋势尚需观察下游需求变化。现有洁净室资源可支持产能进一步扩充，但具体扩产节奏将视新产品、新工艺的推进情况而定。
持续的产线资本投入带来折旧压力，是当前利润承压的重要因素。2026年上半年，公司研发投入近4亿元，研发投入占营收比重约22.1%，固定资产折旧变动金额为4.1亿元；研发资源并行支持射频主业、光芯片、电芯片、高性能电源等多个方向，这些持续的大额投入，构成了利润端压力的主要来源。
光互联战略延伸，打开第二成长曲线
光互联战略的正式确立，是卓胜微发展历程中继Fab-Lite转型之外又一个重大战略决策。
在2026年半年报中，公司首次以“战略转型”定位光互联业务，明确提出在推进光互联战略转型的同时，公司始终将射频业务作为核心基本盘持续夯实，标志着光互联从“技术储备”升级为正式的第二增长曲线，卓胜微正式从射频前端芯片领域的领先企业，向覆盖多元化产品矩阵的一体化平台企业战略演进。
公司表示，光互联是与公司现有射频业务具备良好的协同效应。技术层面，光互联与射频同属高频高速电子领域，芯卓平台（SOI、锗硅等特色工艺）可实现有效迁移与复用；运营层面，公司Fab-Lite模式在光互联领域同样适用且价值突出。
目前，公司光芯片与电芯片业务并行推进。工艺层面，基于射频前端产品的工艺技术积累，公司在锗硅工艺上已具备丰富的量产能力，为推动该工艺在电芯片业务复用夯实基础；硅光工艺目前正进入最后的定型阶段。公司12英寸晶圆生产线所构建的SOI、SiGe等特色工艺，在底层技术逻辑与平台架构上与射频前端所需工艺具备高度的共通性与协同基础，可在统一平台上实现多种特色器件的兼容与集成。
相较于当前行业普遍量产的8英寸产线，公司在投资者关系活动中指出，12英寸产线在晶圆尺寸上具备显著的规模优势，单片可承载的有效芯片面积更大，有利于摊薄单位制造成本、提升产出效率；同时更大尺寸的平台能够承接更先进的制造装备与更优的工艺均匀性控制，在良率、一致性与器件性能等方面形成系统性优势。
除光互联外，公司在BCD工艺等方向积极布局。公司在投资者关系活动中表示，以BCD工艺为代表的功率电源方向，是公司特色工艺平台能力的重要延伸，也是公司服务算力中心等新兴领域的重要布局。公司在该方向坚持差异化发展策略，依托自身特色工艺与创新设计能力，聚焦高价值应用场景。
展望
从行业大背景看，射频前端行业正处于国产替代推进期与技术发展关键期并行的阶段。根据行业研究机构数据，全球移动终端射频前端市场规模预计将从2022年的192亿美元增长至2028年的269亿美元，年均复合增长率约5.8%。随着国产厂商在中低端产品领域实现规模化替代并向高端模组突破，国产化进程持续深化。
2026年上半年受存储芯片供应紧张及价格上涨影响，全球智能手机市场整体承压。AI基建扩张导致晶圆、封测各环节成本增加，对射频前端厂商的成本控制能力提出更高要求。对于卓胜微而言，短期利润的承压，主要系公司在Fab-Lite转型、高端模组突破和第二曲线布局三大方向上同步发力的阶段性代价。随着固定资产折旧陆续到期、高端模组出货量增长以及规模效应逐步显现，传统射频业务的利润弹性有望逐步释放，但时间节点仍取决于下游需求恢复节奏和产能利用率提升速度。
展望未来，随着资源平台效能持续释放、客户协同不断深化，公司有望依托“设计+工艺”双轮驱动的核心优势，在巩固成熟业务的同时，加速向AI端侧、汽车电子等市场拓展，同时储备了面向光通信、卫星通信、低空经济等新兴领域的基础技术。但短期来看，公司仍处于转型投入期，盈利能力的恢复仍需时间。
