随着芯片制造商加速推进先进制程节点，荷兰厂商的高数值孔径（High-NA）EUV系统的量产能力日益成熟。据报道，10台High-NA EUV光刻机已在全球4家客户处投入使用，另有3台正在发货和安装中。而每一台High-NA EUV光刻机售价高达4亿美元（约合人民币27亿元）。
英特尔已将High-NA EUV技术应用于部分酷睿Ultra系列3处理器（代号Panther Lake）的大批量生产，该处理器基于Intel 18A工艺制造，使其成为首个采用该技术实现量产的逻辑产品。
High-NA EUV (EXE) 系统累计曝光晶圆已超过135万片。同时，据称已通过认证的EXE:5200B系统在验收测试中实现了每小时135片晶圆的吞吐量，展现了高量产所需的产能。
多代High-NA EUV产能路线图已对外公布。在AB模式（含拼接吞吐量）下，预计到本十年末，EXE:5200B的吞吐量将达到135 WPH（每小时晶圆数，是衡量光刻机吞吐量/产能的标准单位），EXE:5200C将达到160 WPH，EXE:5200D将达到175 WPH，EXE:5400E将达到180 WPH。在AA模式（无拼接吞吐量）下，吞吐量预计将超过210 WPH。
这涉及High-NA EUV一个关键的物理限制：曝光视场缩小为“半场”。标准0.33 NA EUV的曝光视场是26 × 33mm的完整矩形，而High-NA EUV（0.55 NA）受光学设计限制，单次只能覆盖 26 × 16.5 mm的半场。要覆盖与0.33 NA相同的全场区域，就需要分两次曝光再“拼接”在一起。因为AB模式下每个晶圆要曝光两次才能拼出全场图案，曝光工作量翻倍，所以同样一台机器，AB模式（含拼接吞吐量）的WPH总是低于AA模式（无拼接吞吐量）。
展望未来，荷兰厂商正在计划推出高产能的EXE:5600，目标吞吐量超过250 WPH，但该公司尚未公布具体的量产时间表。
荷兰厂商还强调了High-NA EUV光刻技术在内存制造领域的潜力。High-NA EUV光刻技术的先进成像能力可支持多达五个未来的2D DRAM工艺节点，从而扩展其在内存扩展中的作用。
报告补充道，0.55-NA平台相比0.33-NA EUV平台具有一项关键优势，后者可能需要复杂且成本高昂的多重曝光工艺。其更高的分辨率使得单次曝光即可完成更多层图案化，从而有望降低工艺复杂性、缺陷率和周期时间，并最终降低整体制造成本。
SK海力士于2025下半年部署首款用于量产开发的High-NA EUV系统，标志着其迈向下一代产品量产的早期一步。报告指出，这家存储器巨头已在其DRAM生产工厂M16晶圆厂安装了EXE: 5200B光刻机。
与此同时，三星尚未透露其用于存储器的High-NA EUV时间表，但计划在其1nm逻辑工艺（预计将于2030年左右量产）中采用High-NA EUV技术。（校对/张杰）
